Підсилювач з малими динамічними спотвореннями та підвищеною термостабільністю. Енциклопедія радіоелектроніки та електротехніки

Енциклопедія радіоелектроніки та електротехніки / Підсилювачі потужності транзисторні

 Коментарі до статті

Зниження динамічних спотворень в підсилювачі досягнуто розширенням смуги пропускання вихідного (без загальної ООС) підсилювача, застосуванням місцевих ООС і відповідним вибором частот зрізу амплітудно-частотних характеристик каскадів. Висока термостабільність забезпечується місцевими ООС, застосуванням у передкінцевому каскаді транзисторів, корпуси яких мають однакові теплові опори, і порівняно більшим (близько 250 мА) струмом спокою транзисторів кінцевого каскаду.

Основні параметри:

• Номінальний діапазон частот, Гц.......20...20 000
• Номінальна вихідна потужність (в номінальному діапазоні частот), Вт на навантаженні опором 8 Ом при коефіцієнті гармонік 0,5%.......20
• на навантаженні опором 4 Ом при коефіцієнті гармонік 0,8%.......25
• Номінальна вхідна напруга на навантаженні опором 8 Ом (при вихідній потужності 20 Вт).......1
• Частота зрізу без ООС (при вихідній потужності 1 Вт), кГц.......30
• Глибина ООС, дБ.......20
• Відносний рівень шумів і фону, дБ.......-70

Підсилювач – трикаскадний. Перший каскад - диференціальний на транзисторах V1, V2, підібраних за статичним коефіцієнтом передачі струму h21е та напругою емітер - база. Для отримання досить високого вхідного опору, низького рівня шумів та запобігання самопрогріванню переходів колекторний струм цих транзисторів вибирають рівним 250 мкА. Сумарний емітерний струм транзисторів стабілізується стабілітроном V13. Місцева ООС у першому каскаді створюється включенням до емітерних ланцюгів транзисторів VI, V2 резисторів R2, R3.

Другий каскад зібраний на складовому транзисторі V4V5. Місцева ООС тут здійснюється через резистор R10 з'єднує колектор транзистора V5 з емітером транзистора V4. Навантаженням каскаду є генератор струму на транзисторах V6, V8, резистор R16 та вхідний опір каскаду на транзисторах V9, V10. Складовий транзистор, генератор струму та резистор R16 утворюють еквівалентне джерело напруги сигналу для вихідного каскаду. Виникає при цьому 100%-на ООС по напрузі виключає нелінійність коефіцієнта передачі струму і підвищує частоту зрізу каскаду.

Вихідний каскад виконано на транзисторах V9-V12. Для забезпечення високої термостабільності в кінцевому каскаді застосовані транзистори П701А і П303А, корпуси яких мають однакові теплові опори. Великий струм спокою транзисторів V11 і V12 дозволяє зменшити спотворення типу "сходинка" та виключити перехідний процес у головній петлі ООС (R15, R14, R4, С6) через тепловий удар при різкому перепаді рівня вихідного сигналу. Термостабілізація струму спокою здійснюється транзистором V7. Діоди V15, V16 його ланцюга зміщення розміщені на тепловідвід одного з транзисторів кінцевого каскаду. АЧХ підсилювача коригується конденсаторами С2 та С8*.

Від короткого замикання в навантаженні та перевантаженні па струму підсилювач захищають запобіжники F1 - F3, транзистор V3 та діод V14. Транзистор V3 обмежує струм складового тран9истори на рівні 55...60 мА при перегоранні будь-якого із запобіжників, діод V14 обмежує негативну напругу на базі транзистора V2 на рівні 0,7 при перегоранні запобіжника F1.

Транзистори V5, V8 закріплені на П-подібних тепловідведення, зігнутих з листової міді товщиною 1 мм. Розміри основи кожного з тепловідводів – 23 х 23 мм, полиць – 10 х 23 мм. Тепловий опір такого тепловідведення - приблизно 35 ° С/Вт. Тепловідведення транзисторів V11, V12 зігнуті з листової міді завтовшки 2 мм.

Кожен з них складається з двох П-подібних частин, склепаних по кутах основ мідними заклепками. Розміри основ - 80 X 80 мм, полиць - 25 х 80 мм. Тепловий опір – 3,6 °С/Вт. Діоди V15, V16 вклеєні в отвори тепловідведення транзистора V11.

Котушка L1 намотана дротом ПЕВ-2 - 0,5 виток до витка до заповнення корпусу резистора R25 (МЛТ-2). Відхилення опорів від зазначених на схемі номіналів усіх резисторів, крім R24 та R25, не повинно перевищувати ±5%.

Першою налагоджують частину підсилювача, що живиться від джерела напругою ±30 В. Для цього видаляють запобіжники F1 - F3, розривають з'єднання емітера транзистора V5 з транзистором бази V9, а також колектора транзистора V8 з базою транзистора V10. Еміттер транзистора V5 тимчасово з'єднують з колектором транзистора V8, а точку з'єднання резисторів R14 і R15 - із загальним дротом. Підбором резистора R7* (у бік зменшення, починаючи зі 100 Ом) досягають нульової напруги на колекторі транзистора V8. Ця напруга не повинна виходити за межі ±1 як відразу після подачі живлення, так і після десятихвилинного прогріву транзисторів.

Симетричність обмеження сигналу перевіряють за допомогою осцилографа, подавши на вхід підсилювача змінну синусоїдальну напругу 100 мВ Розмах напруги на колекторі транзистора V8 повинен бути не менше ±24, а частота зрізу - не нижче 200 кГц. Для перевірки перехідної характеристики перших двох каскадів емітер транзистора V5 підключають до точки з'єднання резисторів RJ4, R15 і подають на вхід прямокутні імпульси амплітудою 0,5 і частотою 1 кГц. Імпульси на екрані осцилографа повинні мати круті (без викидів) фронт та спад. При необхідності підбирають конденсатор С8.

Після цього відновлюють всі з'єднання відповідно до схеми, встановлюють на місце запобіжники Fl-F3, замикають коротко котушки L1, включають між точкою з'єднання резисторів R14, R15 конденсатор ємністю 5...10 мкФ, а до виходу підсилювача під'єднують резистор опором потужністю, що розсіюється 8...25 Вт. Включивши живлення, вимірюють постійну напругу на виході підсилювача (воно не повинно виходити за межі ±30 мВ), рівень фону (допустимий розмах пульсацій частотою 100 Гц-не більше 100 мВ) і амплітуду неспотвореного вихідного сигналу (на навантаженні опором 300 8 У). Струм спокою транзисторів V20, V11 (12 мА) встановлюють підбором резистора R250* (у бік зменшення, починаючи з 18...5 кОм). Після цього конденсатор, що з'єднує резистори R10, R14 із загальним дротом, видаляють, і налагодження можна вважати закінченим.

Дивіться інші статті розділу Підсилювачі потужності транзисторні.

Читайте та пишіть корисні коментарі до цієї статті.

<< Назад

Останні новини науки та техніки, новинки електроніки:

Застигання сипких речовин 30.04.2024

У світі науки існує досить загадок, і однією з них є дивна поведінка сипких матеріалів. Вони можуть поводитися як тверде тіло, але раптово перетворюватися на текучу рідину. Цей феномен став об'єктом уваги багатьох дослідників, і, можливо, нарешті ми наближаємося до розгадки цієї загадки. Уявіть собі пісок у пісочному годиннику. Зазвичай він тече вільно, але в деяких випадках його частинки починають застрягати, перетворюючись з рідкого стану на тверде. Цей перехід має важливе значення для багатьох областей, починаючи від виробництва ліків та закінчуючи будівництвом. Дослідники зі США спробували описати цей феномен і наблизитися до його розуміння. У ході дослідження вчені провели моделювання в лабораторії, використовуючи дані про пакети полістиролових кульок. Вони виявили, що вібрації усередині цих комплектів мають певні частоти, що означає, що через матеріал можуть поширюватись лише певні типи вібрацій. Отримані ...>>

Імплантований стимулятор мозку 30.04.2024

В останні роки наукові дослідження в галузі нейротехнологій зробили величезний прогрес, відкриваючи нові обрії для лікування різних психіатричних та неврологічних розладів. Одним із значних досягнень стало створення найменшого імплантованого стимулятора мозку, представленого лабораторією Університету Райса. Цей новаторський пристрій, який отримав назву Digitally Programmable Over-brain Therapeutic (DOT), обіцяє революціонізувати методи лікування, забезпечуючи більше автономії та доступності для пацієнтів. Імплантат, розроблений у співпраці з Motif Neurotech та клініцистами, запроваджує інноваційний підхід до стимуляції мозку. Він живиться через зовнішній передавач, використовуючи магнітоелектричну передачу енергії, що виключає необхідність дротів та великих батарей, типових для існуючих технологій. Це робить процедуру менш інвазивною та надає більше можливостей для покращення якості життя пацієнтів. Крім застосування у лікуванні резист ...>>

Сприйняття часу залежить від того, на що людина дивиться 29.04.2024

Дослідження у галузі психології часу продовжують дивувати нас своїми результатами. Нещодавні відкриття вчених з Університету Джорджа Мейсона (США) виявилися дуже примітними: вони виявили, що те, на що ми дивимося, може сильно впливати на наше відчуття часу. У ході експерименту 52 учасники проходили серію тестів, оцінюючи тривалість перегляду різних зображень. Результати були дивовижні: розмір і деталізація зображень значно впливали на сприйняття часу. Більші і менш захаращені сцени створювали ілюзію уповільнення часу, тоді як дрібні та більш завантажені зображення викликали відчуття його прискорення. Дослідники припускають, що візуальний безлад чи перевантаження деталями можуть утруднити наше сприйняття навколишнього світу, що у свою чергу може призвести до прискорення сприйняття часу. Таким чином було доведено, що наше сприйняття часу тісно пов'язане з тим, що ми дивимося. Більші і менш ...>>

Випадкова новина з Архіву Термоелектрогенератор, який використовує тепло людини 19.02.2013 Компанія Fujifilm представила високоефективний термоелектричний перетворювач на основі органічних матеріалів. Новий термоелектричний генератор відкриває широкі можливості автономного живлення перспективних мобільних пристроїв з малим енергоспоживанням. Безрозмірний коефіцієнт продуктивності (ZT) нового термоелектричного генератора становить 0,27, але фахівці Fujifilm стверджують, що реальна продуктивність вища. На виставці, яка нещодавно пройшла в Токіо, прототип термоелектричного перетворювача демонстрував потужність кілька міліватів. При цьому новинка може генерувати електрику навіть із різниці температур 1 градус Цельсія. Fujifilm не розкриває подробиці про технологію виготовлення та склад органічного матеріалу, з якого зроблено новий тип термоелектричного генератора. Зазначається лише, що його створено з урахуванням розробок японського інституту AIST. Фахівці з цієї установи у 2011 році розробили технологію друку термоелектричних пристроїв на гнучких підкладках, таких як пластикові плівки та папір. При цьому використовувався композитний матеріал, що складається з вуглецю, розпорошеного на полімерній матриці. Даний матеріал, виконаний на нанорівні, здатний генерувати в 1,5 разів більше потужності, ніж звичайні друковані аналоги. Так, в ході експериментів різниця між температурою руки та температурою в приміщенні (36 і 25 градусів Цельсія відповідно) дозволяла генерувати струм з напругою 108,9 мВ. У Fujifilm сподіваються, що нова термоелектрична технологія дозволить живити різні датчики, розміщені на людському тілі, включаючи медичні сенсори та сенсори, що контролюють параметри довкілля. Крім того, дешеві органічні термоелектричні модулі можна застосовувати для підвищення ефективності сонячних панелей, автотранспорту, заряджання мобільних пристроїв та малопотужної автоматики.

Інші цікаві новини:

▪ Гібрид Hyundai Sonata, що заряджається.

▪ Алмаз твердіший за алмаз

▪ Хочете схуднути - нюхайте ваніль

▪ Android-смартфон стає підслуховуючим пристроєм

▪ Доведено існування безсмертних квантових частинок

Стрічка новин науки та техніки, новинок електроніки

Цікаві матеріали Безкоштовної технічної бібліотеки:

▪ розділ сайту Електробезпека, пожежна безпека. Добірка статей

▪ стаття Імперія зла. Крилатий вислів

▪ стаття Що це за течія - Куро-сіо? Детальна відповідь

▪ стаття Жимолість татарська. Легенди, вирощування, способи застосування

▪ стаття Індикатор радіаційний. Енциклопедія радіоелектроніки та електротехніки

▪ стаття Слухняні намисто. Секрет фокусу

Залишіть свій коментар до цієї статті:

All languages ​​of this page

Arabic	Hebrew	Polish
Bengali	Hindi	Portuguese
Chinese	Italian	Spanish
English	Japanese	Turkish
French	Korean	Ukrainian
German	Malay	Vietnamese

Головна сторінка | Бібліотека | Статті | Карта сайту | Відгуки про сайт

www.diagram.com.ua
2000-2024