Меню English Ukrainian російська Головна

Безкоштовна технічна бібліотека для любителів та професіоналів Безкоштовна технічна бібліотека


Приставка для перевірки транзисторів. Енциклопедія радіоелектроніки та електротехніки

Безкоштовна технічна бібліотека

Енциклопедія радіоелектроніки та електротехніки / Початківцю радіоаматору

Коментарі до статті Коментарі до статті

[an error occurred while processing this directive]

Відома за публікаціями у журналі ідея застосування діодних мостів у вимірювальній техніці дозволила автору пропонованої статті розробити просту приставку – своєрідний комутаційний вузол для контролю параметрів біполярних та польових транзисторів практично всіх типів.

Приставка використовується спільно з багатограничним міліамперметром постійного струму та автономним джерелом живлення. Вона дозволяє вимірювати чимало параметрів: статичний коефіцієнт передачі струму біполярних транзисторів у схемі із загальним емітером при фіксованому значенні струму бази (10, 30, 100, 300 мкА; 1,3, 10, 30 мА); початковий струм стоку польових транзисторів з р-n переходом чи вбудованим каналом; струм стоку польових транзисторів з індукованим каналом при напрузі на затворі, що дорівнює половині напруги сток-витік; крутість характеристики польових транзисторів з двома затворами по кожному з них; крутість характеристики польових транзисторів при використанні виведення підкладки (корпус-підкладка) як другий затвор. Ідея цієї приставки запозичена з [1].

Принципова схема приставки наведена малюнку. Транзистор VT1 і резистори R1-R8 утворюють джерело стабільного струму для живлення ланцюга бази біполярного транзистора, що перевіряється, висновки якого включають в гнізда Х1-ХЗ. Значення струму встановлюють перемикачем SA1. Діоди VD5, VD6 і резистор R14 визначають зміщення ланцюга початку польового транзистора. Дільники R9, R10 і R11-R13 забезпечують зміщення на першому (31) та другому (32) затворах.

Приставка для перевірки транзисторів

Напруга на першому затворі (гніздо Х5) має дорівнювати падінню напруги на діодах VD5, VD6.

Така ж напруга має бути і в точці з'єднання резисторів R12, R13.

Полярність напруги живлення, залежно від типу біполярного (каналу польового) транзистора, встановлюють перемикачем SA2. При цьому завдяки діодним мостам на діодах VD1 - VD4 і VD7-VD10 вдалося обійтися без перемикань полярності в ланцюзі бази та колектора (стоку) транзистора, що перевіряється.

Перемикач SA1 - галетний, SA2 типу П2К або аналогічний на два положення з двома групами контактів. Кнопки SB1-SB3 - МП9 чи інші. Діоди VD1-VD4 можуть бути будь-які кремнієві з максимальним прямим струмом 40-60 мА і зворотною напругою не менше 30 В, VD5-VD10 - також кремнієві, розраховані на прямий струм до 1 А при зворотній напрузі не менше 30 В. Діоди VD1-VD4 та VD7-VD10 допустимо замінити відповідними за параметрами блоками серій КЦ402-КЦ405. Транзистор (він може бути, крім зазначеного на схемі, КП302В, КП302Г) необхідно встановити на тепловідведення, оскільки при перевірці потужних транзисторів або установці струму бази 30 мА на ньому розсіюватиметься значна потужність. Вимірювальний прилад, що підключається до приставки, - багатогранний будь-якого типу з максимальним струмом від десятків до сотень міліампер.

Джерело живлення повинне забезпечувати постійну напругу 4. 5 В і струм до 1 А - на випадок контролю біполярних транзисторів великої потужності. Для контролю польових транзисторів з індукованим каналом напруга живлення повинна бути 9...15, тому в блоці живлення необхідно встановити перемикач вихідної напруги, яке, до речі, зовсім не обов'язково стабілізувати.

Налаштування приставки починають з підбору резисторів R1-R8, контролюючи струм між гніздами Х1 та ХЗ та встановлюючи рухомий контакт перемикача SA1 у відповідне положення. Підбір кожного резистора закінчують, якщо струм не відрізняється більш ніж на 10% бажаного. Після цього підбирають резистори R10, R13 такого опору, щоб напруга на них було одно або трохи менше падіння напруги на діодах VD5, VD6.

Щоб зручно було підключати до приставки транзистори, що перевіряються, необхідно виготовити перехідні панелі з гнучкими висновками, що закінчуються вилками, що вставляються в гнізда приставки. Для потужних транзисторів слід виготовити одиночні провідники із затискачами "крокодил" та вилками.

Перед підключенням транзистора для контролю необхідно встановити перемикачем структуру (тип каналу), підключити міліамперметр із максимальною межею вимірювань, увімкнути джерело живлення. Значення струму бази 10 і 30 мА слід встановлювати перемикачем SA1 тільки в момент вимірювання при натиснутій кнопці SB 1, а перемикати межі вимірювань міліамперметра - при цій кнопці.

Перевірку біполярних транзисторів ведуть у такій послідовності.

1. Перемикачем SA2 встановити потрібну структуру – р-n-р або n-р-n.

2. Підключити міліамперметр, джерело живлення та транзистор до відповідних гнізд.

3. Перемикачем SA1 встановити необхідний струм бази.

4. Натиснути кнопку SB1 та визначити за шкалою міліамперметра струм колектора, після чого розрахувати коефіцієнт передачі струму бази за формулою h21Е=Ik/Iб.

Якщо цоколівка висновків транзистора невідома, необхідно спочатку визначити базу та структуру транзистора за допомогою омметра за відомою методикою. Висновки емітера та колектора визначають за максимальним значенням h21Е.

А ось яка послідовність перевірки польових транзисторів.

1. Перемикачем SA2 встановити тип каналу.

2. Підключити міліамперметр та джерело живлення.

3. МДП транзистор з вбудованим каналом або транзистор з р-n переходом з'єднати з відповідними гніздами: витік - з гніздом Х7 ("І"), підкладку (корпус-підкладку) - з Х8 ("П"), затвор - з Х5 ( "31"), стік-сХ4 ("С").

4. Натиснути на кнопку SB1 і визначити за відхиленням стрілки міліамперметра значення струму стоку - він повинен відповідати параметру Ic поч, що наводиться в довідниках.

5. Натиснути одночасно на кнопки SB1, SB2 та визначити нове значення струму стоку.

6. Розрахувати крутість характеристики за формулою S = lc/U, де lc - різниця струмів, виміряних за п. 4 і 5 мА; U - падіння напруги на резистори R10, В. Порівняти отримане значення з довідковими даними.

7. Виведення затвора з'єднати з гніздом ХЗ, а виведення підкладки (корпусу-підкладки) - з гніздом Х5.

8. Натиснути на кнопку SB1 та визначити струм стоку, після чого натиснути одночасно на SB1, SB2 та визначити нове значення струму.

9. Розрахувати значення крутості по підкладці за формулою sn = Ic/u, де Ic - різниця струмів, виміряних за п. 8 мА; U - падіння напруги на резисторі R10, Ст.

У [2] розглянуті питання використання підкладки (корпусу-підкладки) як другий затвор, але в довідниках цей параметр не наводиться.

При перевірці МДП транзисторів з індукованим каналом з'єднання виконати, як і попередньому випадку, але виведення затвора з'єднати з гніздом Х6 ("32"). Виміряти струми стоку, натискаючи спочатку на кнопку SB1, а потім одночасно на кнопки SB1 та SB2. Розрахувати значення крутості за першим затвором, враховуючи, що U - падіння напруги на резисторі R13.

Щоб визначити крутість по підкладці, цей висновок потрібно з'єднати з гніздом Х5 (31). Як і в попередньому випадку, спочатку натискають кнопку SB1, а потім одночасно на SB1 і SB2. Після цього розраховують значення крутості з огляду на те, що U - падіння напруги на резисторі R10.

Контролюючи транзистори даного типу, слід пам'ятати, що струм стоку, виміряний за першим пунктом, повинен відповідати струму, що визначається за сімейством сток-затворних характеристик, що наводяться в довідниках (Uсі - напруга живлення; Uзі = 0,5 Uсі).

Для контролю двозатворних польових транзисторів необхідно спочатку встановити перемикачем SA2 тип каналу, після чого приєднати до приставки висновки транзистора у такій черговості: витік, перший затвор, другий затвор, стік. Маніпулюючи натисканням на кнопки SB1, одночасно на SB1 і SB2, одночасно на SB 1 і SB3, виміряти струми стоку та розрахувати значення крутості по затворах. Перевірка таких транзисторів можлива лише у режимі збагачення.

література

  1. Долгов О. Вимірник коефіцієнта передачі струму бази транзисторів. - Радіо, 1997 № 1,с. 38.
  2. Бочаров Л.М. Польові транзистори. - М: Енергія, 1976.

Автор: В.Календо, м.Мінськ, Білорусь

Дивіться інші статті розділу Початківцю радіоаматору.

Читайте та пишіть корисні коментарі до цієї статті.

<< Назад

Останні новини науки та техніки, новинки електроніки:

Новий спосіб управління та маніпулювання оптичними сигналами 05.05.2024

Сучасний світ науки та технологій стрімко розвивається, і з кожним днем ​​з'являються нові методи та технології, які відкривають перед нами нові перспективи у різних галузях. Однією з таких інновацій є розробка німецькими вченими нового способу керування оптичними сигналами, що може призвести до значного прогресу фотоніки. Нещодавні дослідження дозволили німецьким ученим створити регульовану хвильову пластину всередині хвилеводу із плавленого кремнезему. Цей метод, заснований на використанні рідкокристалічного шару, дозволяє ефективно змінювати поляризацію світла через хвилевід. Цей технологічний прорив відкриває нові перспективи розробки компактних і ефективних фотонних пристроїв, здатних обробляти великі обсяги даних. Електрооптичний контроль поляризації, що надається новим методом, може стати основою створення нового класу інтегрованих фотонних пристроїв. Це відкриває широкі можливості для застосування. ...>>

Приміальна клавіатура Seneca 05.05.2024

Клавіатури – невід'ємна частина нашої повсякденної роботи за комп'ютером. Однак однією з головних проблем, з якою стикаються користувачі, є шум, особливо у випадку преміальних моделей. Але з появою нової клавіатури Seneca від Norbauer & Co може змінитися. Seneca – це не просто клавіатура, це результат п'ятирічної роботи розробників над створенням ідеального пристрою. Кожен аспект цієї клавіатури, починаючи від акустичних властивостей до механічних характеристик, був ретельно продуманий і збалансований. Однією з ключових особливостей Seneca є безшумні стабілізатори, які вирішують проблему шуму, характерну для багатьох клавіатур. Крім того, клавіатура підтримує різні варіанти ширини клавіш, що робить її зручною для будь-якого користувача. І хоча Seneca поки не доступна для покупки, її реліз запланований на кінець літа. Seneca від Norbauer & Co є втіленням нових стандартів у клавіатурному дизайні. Її ...>>

Запрацювала найвища у світі астрономічна обсерваторія 04.05.2024

Дослідження космосу та її таємниць - це завдання, яка привертає увагу астрономів з усього світу. У свіжому повітрі високих гір, далеко від міських світлових забруднень, зірки та планети розкривають свої секрети з більшою ясністю. Відкривається нова сторінка в історії астрономії із відкриттям найвищої у світі астрономічної обсерваторії – Атакамської обсерваторії Токійського університету. Атакамська обсерваторія, розташована на висоті 5640 метрів над рівнем моря, відкриває нові можливості для астрономів у вивченні космосу. Це місце стало найвищим для розміщення наземного телескопа, надаючи дослідникам унікальний інструмент вивчення інфрачервоних хвиль у Всесвіті. Хоча висотне розташування забезпечує більш чисте небо та менший вплив атмосфери на спостереження, будівництво обсерваторії на високій горі є величезними труднощами та викликами. Однак, незважаючи на складнощі, нова обсерваторія відкриває перед астрономами широкі перспективи для дослідження. ...>>

Випадкова новина з Архіву

Парниковий газ – у справу 13.12.2009

Щорічно через діяльність людини в атмосферу надходить близько 28 мільярдів тонн вуглекислого газу. Так як цей газ бере участь у освіті парникового ефекту, що розігріває клімат Землі, вчені замислюються над тим, як скоротити його викиди.

Німецькі хіміки пропонують використовувати СО2 як джерело вуглецю для синтезу органічних сполук. На основі вуглекислого газу можна синтезувати ліки (наприклад, аспірин), добрива (сечовину), харчові добавки до кормів для тварин, пластмаси та навіть пальне – метанол.

Японський хімічний концерн "Міцуї" будує в Осаці установку синтезу метанолу з СО2 і водню, причому водень вироблятиметься на сонячній енергії. Установка має розпочати роботу у 2010 році та давати щорічно 100 тонн метанолу. Однак якщо навіть повною мірою реалізувати всі ці можливості, щорічно вдасться пов'язувати лише два з невеликим мільярдом тонн вуглекислого газу.

Крім того, газ досить інертний, неохоче вступає в реакції, для чого потрібна додаткова енергія, а отже доведеться збільшити вироблення електроенергії, спалювати додаткові кількості горючих копалин.

Інші цікаві новини:

▪ Недорогі технології регулювання прозорості вікон

▪ TWS-навушники Huawei FreeBuds Pro 3

▪ Ігровий ноутбук Sirius 16 Gen 1 на Linux

▪ Дотик для роботів

▪ Шість правил для систем штучного інтелекту

Стрічка новин науки та техніки, новинок електроніки

 

Цікаві матеріали Безкоштовної технічної бібліотеки:

▪ розділ сайту Мистецтво відео. Добірка статей

▪ стаття Бхагван Шрі Раджніш (Ошо) Знамениті афоризми

▪ стаття Коли з'явилися перші гроші? Детальна відповідь

▪ стаття Заступник директора з адміністративно-господарської роботи. Посадова інструкція

▪ стаття Приставка до мультиметра для вимірювання ємності конденсаторів. Енциклопедія радіоелектроніки та електротехніки

▪ стаття Перемикання 12-вольтових електромагнітних реле від джерела напругою вдвічі менше. Енциклопедія радіоелектроніки та електротехніки

Залишіть свій коментар до цієї статті:

ім'я:


E-mail (не обов'язково):


коментар:





All languages ​​of this page

Головна сторінка | Бібліотека | Статті | Карта сайту | Відгуки про сайт

www.diagram.com.ua

www.diagram.com.ua
2000-2024