Системи позначень напівпровідникових пристроїв іноземного виробництва. Схема, опис

Безкоштовна технічна бібліотека

ЕНЦИКЛОПЕДІЯ РАДІОЕЛЕКТРОНІКИ ТА ЕЛЕКТРОТЕХНІКИ
Безкоштовна бібліотека / Схеми радіоелектронних та електротехнічних пристроїв

Системи позначень напівпровідникових пристроїв іноземного виробництва. Енциклопедія радіоелектроніки та електротехніки

Безкоштовна технічна бібліотека

Енциклопедія радіоелектроніки та електротехніки / Довідкові матеріали

Коментарі до статті

В даний час у світовій практиці склалися три системи позначень напівпровідникових приладів: американська (JEDEC), європейська (Pro-Electron) японська (JIS). Розглянемо кожну із цих систем.

Система JEDEC

Система JEDEC (Joint Electron Device Engineering Council – Об'єднана інженерна Рада з електронних приладів) дає наступний формат позначень електронних приладів: цифра – буква – номер – суфікс.

Цифра означає кількість pn-переходів у напівпровідниковому приладі. Якщо перша цифра 1, це діод; 2 – транзистор; 3 (наприклад) - польовий транзистор із двома затворами. Принаймні цифра позначає кількість висновків приладу мінус один.

Літера N не несе смислового навантаження, вона є просто роздільником між двома цифровими позначеннями.

Номер не містить інформації про прилад, це просто реєстраційний номер приладу.

Суфікс використовується при позначеннях транзисторів: А – транзистор з низьким коефіцієнтом посилення, В – транзистор із середнім коефіцієнтом посилення, С – транзистор з високим коефіцієнтом підсилення.

Наприклад, 2N3061B - транзистор із середнім коефіцієнтом посилення.

Система Pro-Electron

Ця система дає наступний формат: дві букви – буква – номер – суфікс.

Перша буква позначає напівпровідниковий матеріал: А – германій; В – кремній; С – арсенід галію; R – композитний матеріал.

Друга буква позначає тип приладу:

А - діод низької потужності чи сигнальний;

В – діод із змінною ємністю (варикап);

С – транзистор малої потужності низькочастотний;

D - потужний транзистор низькочастотний;

Е – тунельний діод;

F – транзистор малої потужності високочастотний;

G – різні прилади;

H – магніточутливі діоди;

K – прилади на ефекті Холла;

L - потужні транзистори високочастотні;

N – оптрони;

P – фотоприймальні прилади;

Q – випромінювачі світла;

R - перемикаючі прилади (тиристори, диністори, одноперехідні транзистори тощо);

S - перемикаючі транзистори малої потужності;

T - потужні перемикаючі прилади (тиристори, симістори тощо);

U - перемикаючі транзистори великої потужності;

W – прилади на поверхневих акустичних хвилях;

X - діоди-перемножувачі (варактори);

Y - випрямляючі діоди;

Z – стабілітрони.

Третя літера означає, що прилад призначений для промислових чи військових застосувань (а чи не для комерційних).

Номер не містить інформації про прилад, це просто реєстраційний номер приладу.

Суфікс використовується при позначеннях транзисторів:

А - транзистор з низьким коефіцієнтом посилення, - транзистор з середнім коефіцієнтом посилення, С - транзистор з високим коефіцієнтом посилення.

Наприклад, BFY51В - кремнієвий малопотужний високочастотний транзистор для промислового застосування із середнім коефіцієнтом посилення.

Система JIS (Japanese Industrial Standart – японський промисловий стандарт).

Ця система дає наступний формат: цифра – дві літери – номер – суфікс.

Цифра збігається з позначенням коду JEDEC, тобто. ця кількість висновків приладу мінус один.

Літери позначають застосування приладу:

SA – високочастотний транзистор структури pnp;

SB – низькочастотний транзистор структури pnp;

SC – високочастотний транзистор структури npn;

SD – низькочастотний транзистор структури npn;

SE – діод;

SF – тиристор;

SG – прилад Ганна;

SH – одноперехідний транзистор;

SJ – р-канальний польовий транзистор;

SK – n-канальний польовий транзистор;

SM – симистор;

SQ - світловипромінюючий діод;

SR - випрямляч;

SS – малопотужний (сигнальний) діод;

ST – діоди;

SV – варикапи;

SZ – стабілітрони.

Номер не містить інформації про прилад, це просто реєстраційний номер приладу.

Суфікс може використовуватися різними японськими фірмами на власний розсуд.

Наприклад, 2SC2335C - високочастотний транзистор структури pnp.

Однак багато великих фірм використовують свої власні позначення для транзисторів:

MJ - потужні транзистори фірми "Моторола" у металевому корпусі;

MJЕ - потужні транзистори фірми "Моторола" у пластмасовому корпусі;

MPS - малопотужні транзистори фірми "Моторола" у пластмасовому корпусі;

MRF - високочастотні та надвисокочастотні транзистори фірми "Моторола";

TIP – потужні транзистори фірми Texas Instruments;

TIPL – потужні планарні транзистори фірми Texas Instruments.

Дивіться інші статті розділу Довідкові матеріали.

Читайте та пишіть корисні коментарі до цієї статті.

<< Назад

Останні новини науки та техніки, новинки електроніки:

Машина для проріджування квітів у садах 02.05.2024

У сучасному сільському господарстві розвивається технологічний прогрес, спрямований на підвищення ефективності догляду за рослинами. В Італії було представлено інноваційну машину для проріджування квітів Florix, створену з метою оптимізації етапу збирання врожаю. Цей інструмент оснащений мобільними важелями, що дозволяють легко адаптувати його до особливостей саду. Оператор може регулювати швидкість тонких проводів, керуючи ним із кабіни трактора за допомогою джойстика. Такий підхід значно підвищує ефективність процесу проріджування квітів, забезпечуючи можливість індивідуального налаштування під конкретні умови саду, а також сорт та вид фруктів, що вирощуються на ньому. Після дворічних випробувань машини Florix на різних типах плодів результати виявились дуже обнадійливими. Фермери, такі як Філіберто Монтанарі, який використовував машину Florix протягом кількох років, відзначають значне скорочення часу та трудовитрат, необхідних для проріджування кольорів. ...>>

Удосконалений мікроскоп інфрачервоного діапазону 02.05.2024

Мікроскопи відіграють важливу роль у наукових дослідженнях, дозволяючи вченим занурюватися у світ невидимих для ока структур та процесів. Однак різні методи мікроскопії мають обмеження, і серед них було обмеження дозволу при використанні інфрачервоного діапазону. Але останні досягнення японських дослідників із Токійського університету відкривають нові перспективи вивчення мікросвіту. Вчені з Токійського університету представили новий мікроскоп, який революціонізує можливості мікроскопії в інфрачервоному діапазоні. Цей удосконалений прилад дозволяє побачити внутрішні структури живих бактерій із дивовижною чіткістю в нанометровому масштабі. Зазвичай мікроскопи в середньому інфрачервоному діапазоні обмежені низьким дозволом, але нова розробка японських дослідників дозволяє подолати ці обмеження. За словами вчених, розроблений мікроскоп дозволяє створювати зображення з роздільною здатністю до 120 нанометрів, що в 30 разів перевищує дозвіл традиційних метрів. ...>>

Пастка для комах 01.05.2024

Сільське господарство - одна з ключових галузей економіки, і боротьба зі шкідниками є невід'ємною частиною цього процесу. Команда вчених з Індійської ради сільськогосподарських досліджень – Центрального науково-дослідного інституту картоплі (ICAR-CPRI) у Шимлі представила інноваційне вирішення цієї проблеми – повітряну пастку для комах, яка працює від вітру. Цей пристрій адресує недоліки традиційних методів боротьби зі шкідниками, надаючи дані про популяцію комах у реальному часі. Пастка повністю працює за рахунок енергії вітру, що робить її екологічно чистим рішенням, яке не вимагає електроживлення. Її унікальна конструкція дозволяє відстежувати як шкідливі, так і корисні комахи, забезпечуючи повний огляд популяції в будь-якій сільськогосподарській зоні. "Оцінюючи цільових шкідників у потрібний час, ми можемо вживати необхідних заходів для контролю як комах-шкідників, так і хвороб", - зазначає Капіл. ...>>

Випадкова новина з Архіву

Преміум смартфон Lumigon T2 HD 05.04.2014

Данська компанія Lumigon представила флагманський смартфон T2 HD на платформі Android, продаж якого розпочнеться у другому кварталі. Апарат виконаний на двоядерному процесорі Qualcomm Snapdragon із тактовою частотою 1,7 ГГц; обробкою графіки зайнятий контролер Adreno 320. Об'єм оперативної пам'яті дорівнює 2 Гбайт.

Lumigon T2 HD – це перший смартфон на ринку, обладнаний 128 Гбайт інтегрованої флеш-пам'яті. Покупцям також пропонуватимуться модифікації з накопичувачем на 32 та 64 Гбайт. Слота для карт microSD апарат не має.

Смартфон оснащений 4,3-дюймовим дисплеєм 720р (720х1280 пікселів); панель формату Full HD виробник вирішив не використати. Екран захищений від пошкоджень міцним склом Corning Gorilla Glass 3.

Новинка має розвинені бездротові можливості. Є адаптери Wi-Fi 802.11b/g/n та Bluetooth 4.0, мікрочіп NFC, а також інфрачервоний приймач, що дозволяє використовувати смартфон як універсальний пульт дистанційного керування побутовою технікою. Підтримується робота в мобільних мережах GSM 850/900/1800/1900 МГц, UMTS 900/2100 МГц та LTE 800/1800/2600 МГц.

Lumigon T2 HD має 13-мегапіксельну основну камеру і фронтальну камеру з 2,4-мегапіксельним сенсором. Причому обидві оснащені спалахом та підтримують запис відео Full HD.

Серед іншого згадані FM-тюнер, ресивер GPS/ГЛОНАСС, електронний компас, гіроскоп, датчики орієнтації, освітлення та наближення. Розміри становлять 127x64x8,7, 148 мм, вага - XNUMX г.

Апарат виконаний у вологонепроникному корпусі із нержавіючої сталі. Заявлений час автономної роботи на одній підзарядці акумулятора досягає 8 годин у режимі розмови або 320 годин при очікуванні виклику. Операційна система – Android 4.3 або Android 4.4.

Придбати Lumigon T2 HD можна буде за ціною від 730 євро.

Інші цікаві новини:

▪ Рослини вирощені в місячному ґрунті

▪ Ресивер Denon Heos AVR

▪ Штучний Місяць для експериментів із гравітацією

▪ Бактеріальна батарея для Марса

▪ Нюх допоможе діагностувати стан мозку

Стрічка новин науки та техніки, новинок електроніки

Цікаві матеріали Безкоштовної технічної бібліотеки:

▪ розділ сайту Дитяча наукова лабораторія. Добірка статей

▪ стаття Бути кращою за свою репутацію. Крилатий вислів

▪ стаття Хто мешкав на Олімпі, а хто - на Парнасі? Детальна відповідь

▪ стаття Видача мила та знешкоджувальних засобів

▪ стаття Домашня служба часу. Енциклопедія радіоелектроніки та електротехніки

▪ стаття Ворог магнетизму. Фізичний експеримент

Залишіть свій коментар до цієї статті:

All languages of this page

Головна сторінка | Бібліотека | Статті | Карта сайту | Відгуки про сайт