Потужний регулятор потужності на симісторі. Схема, опис

Безкоштовна технічна бібліотека

ЕНЦИКЛОПЕДІЯ РАДІОЕЛЕКТРОНІКИ ТА ЕЛЕКТРОТЕХНІКИ
Безкоштовна бібліотека / Схеми радіоелектронних та електротехнічних пристроїв

Потужний регулятор потужності на симісторі. Енциклопедія радіоелектроніки та електротехніки

Безкоштовна технічна бібліотека

Енциклопедія радіоелектроніки та електротехніки / Регулятори струму, напруги, потужності

Коментарі до статті

Пристрій призначений для регулювання потужності, що підводиться до активного навантаження (ламп розжарювання, нагрівальних приладів) від мережі змінного струму 220 В.

Межі регулювання від 0 до 220 В. Максимальна потужність навантаження 5,5 кВт при використанні симістора ТС142-63-6, встановленого на охолоджувачі 0241, при природному охолодженні.

Принцип роботи пристрою заснований на двонапівперіодному фазовому управлінні симістором VS1 (електрична схема показана на малюнку).

(Натисніть для збільшення)

Випрямний міст VD1-VD4 та стабілітрон VD5 забезпечують живлення одноперехідного транзистора VT1. Резистор R1 гасить надмірну напругу мережі. Затримку відкриття симистора по фазі визначає час зарядки конденсатора С1 через резистори R2 і R3 від джерела напруги, рівень якого визначається стабілітроном VD5 і коефіцієнтом передачі n-одноперехідного транзистора VT1.

При деякому пороговому напрузі на конденсаторі С1 одноперехідний транзистор відкривається і його навантажувальному резисторі R5 з'являється імпульс напруги, який відкриває транзистор VT2 підсилювача потужності. Конденсатор С2, який до цього зарядився від джерела живлення підсилювача потужності імпульсів управління (R7, VD7, VD8, VD9, C3), розряджається через VT2, що відкрився, і первинну обмотку трансформатора Т1. Імпульсом напруги на вторинній обмотці трансформатора відкривається симистор VS1, конденсатор С1 знову розряджається до напруги закривання одноперехідного транзистора VT1. Після вимкнення симістора VS1 конденсатор С1 знову заряджається, починається наступний цикл роботи вузла керування симістором. Змінним резистором R2 регулюється потужність, що підводиться до навантаження.

У регуляторі використано постійні резистори МЛТ, змінний резистор R2 типу СП4-2М. Конденсатор С1 типу КМ-6, С2 – К50-6. Симистор VS1 типу Т142-63-6. Трансформатор Т1 типу МІТ-4 можна виготовити на кільцевому магнітопроводі К16Ч10Ч4,5 з фериту 2000НМ.

Обмотки містять по 100 витків дроту ПЕШО-0,12. При справних елементах та правильному фазуванні обмоток трансформатора Т1 регулятор починає працювати без налаштування.

Автор: В.Ф. Яковлєв

Дивіться інші статті розділу Регулятори струму, напруги, потужності.

Читайте та пишіть корисні коментарі до цієї статті.

<< Назад

Останні новини науки та техніки, новинки електроніки:

Застигання сипких речовин 30.04.2024

У світі науки існує досить загадок, і однією з них є дивна поведінка сипких матеріалів. Вони можуть поводитися як тверде тіло, але раптово перетворюватися на текучу рідину. Цей феномен став об'єктом уваги багатьох дослідників, і, можливо, нарешті ми наближаємося до розгадки цієї загадки. Уявіть собі пісок у пісочному годиннику. Зазвичай він тече вільно, але в деяких випадках його частинки починають застрягати, перетворюючись з рідкого стану на тверде. Цей перехід має важливе значення для багатьох областей, починаючи від виробництва ліків та закінчуючи будівництвом. Дослідники зі США спробували описати цей феномен і наблизитися до його розуміння. У ході дослідження вчені провели моделювання в лабораторії, використовуючи дані про пакети полістиролових кульок. Вони виявили, що вібрації усередині цих комплектів мають певні частоти, що означає, що через матеріал можуть поширюватись лише певні типи вібрацій. Отримані ...>>

Імплантований стимулятор мозку 30.04.2024

В останні роки наукові дослідження в галузі нейротехнологій зробили величезний прогрес, відкриваючи нові обрії для лікування різних психіатричних та неврологічних розладів. Одним із значних досягнень стало створення найменшого імплантованого стимулятора мозку, представленого лабораторією Університету Райса. Цей новаторський пристрій, який отримав назву Digitally Programmable Over-brain Therapeutic (DOT), обіцяє революціонізувати методи лікування, забезпечуючи більше автономії та доступності для пацієнтів. Імплантат, розроблений у співпраці з Motif Neurotech та клініцистами, запроваджує інноваційний підхід до стимуляції мозку. Він живиться через зовнішній передавач, використовуючи магнітоелектричну передачу енергії, що виключає необхідність дротів та великих батарей, типових для існуючих технологій. Це робить процедуру менш інвазивною та надає більше можливостей для покращення якості життя пацієнтів. Крім застосування у лікуванні резист ...>>

Сприйняття часу залежить від того, на що людина дивиться 29.04.2024

Дослідження у галузі психології часу продовжують дивувати нас своїми результатами. Нещодавні відкриття вчених з Університету Джорджа Мейсона (США) виявилися дуже примітними: вони виявили, що те, на що ми дивимося, може сильно впливати на наше відчуття часу. У ході експерименту 52 учасники проходили серію тестів, оцінюючи тривалість перегляду різних зображень. Результати були дивовижні: розмір і деталізація зображень значно впливали на сприйняття часу. Більші і менш захаращені сцени створювали ілюзію уповільнення часу, тоді як дрібні та більш завантажені зображення викликали відчуття його прискорення. Дослідники припускають, що візуальний безлад чи перевантаження деталями можуть утруднити наше сприйняття навколишнього світу, що у свою чергу може призвести до прискорення сприйняття часу. Таким чином було доведено, що наше сприйняття часу тісно пов'язане з тим, що ми дивимося. Більші і менш ...>>

Випадкова новина з Архіву

SSD-накопичувачі Seagate BarraCuda 510 у форматі М.2 12.01.2019

Компанія Seagate Technology представила продуктивні твердотільні накопичувачі (SSD) серії BarraCuda 510.

Нові рішення отримали форм-фактор M.2 2280 (22 х 80 мм), завдяки чому підходять для встановлення в настільні комп'ютери, ноутбуки та ультрабуки, а також міні-системи. Пристрої виконані на основі мікрочіпів флеш-пам'яті 3D TLC NAND (три біти інформації в одному осередку). Задіяні інтерфейс PCIe 3.0 х4 та стандарт NVMe 1.3.

До сімейства BarraCuda 510 увійшли дві моделі - місткістю 512 Гбайт та 256 Гбайт. Швидкість послідовного читання інформації досягає відповідно 3400 Мбайт/с та 3050 Мбайт/с, швидкість послідовного запису - 2100 Мбайт/с та 1050 Мбайт/с. Показник IOPS (операцій введення/виводу за секунду) при довільному читанні даних блоками по 4 Кбайт становить до 340 000 у версії на 512 Гбайт і до 180 000 у моделі на 256 Гбайт. При записі ця величина досягає відповідно 500 000 та 255 000.

Нові накопичувачі підтримують команди TRIM та засоби моніторингу SMART Виробник надає на вироби п'ятирічну гарантію.

Інші цікаві новини:

▪ Гібридні планшети Toshiba Dynabook R82 та Dynabook RT82

▪ Рука кіборга

▪ Нова стадія еволюції людини

▪ Пшеничне морозиво

▪ Електричний самокат Xiaomi

Стрічка новин науки та техніки, новинок електроніки

Цікаві матеріали Безкоштовної технічної бібліотеки:

▪ Розділ сайту Домашня майстерня. Добірка статей

▪ стаття Ми шануємо всіх нулями, а одиницями – себе. Крилатий вислів

▪ стаття У якої тварини найпотужніші щелепи? Детальна відповідь

▪ стаття Туалет хворого. Медична допомога