Меню English Ukrainian російська Головна

Безкоштовна технічна бібліотека для любителів та професіоналів Безкоштовна технічна бібліотека


УМЗЧ із компліментарними польовими транзисторами. Енциклопедія радіоелектроніки та електротехніки

Безкоштовна технічна бібліотека

Енциклопедія радіоелектроніки та електротехніки / Підсилювачі потужності транзисторні

 Коментарі до статті

Представляємо читачам варіант стоватного УМЗЧ з польовими транзисторами. У цій конструкції корпуси потужних транзисторів можна монтувати на загальному тепловідводі без ізоляційних прокладок, і це значно покращує теплопередачу. Як другий варіант блоку живлення запропонований потужний імпульсний перетворювач, який повинен мати досить малий рівень власних перешкод.

Застосування польових транзисторів (ПТ) в УМЗЧ донедавна стримувалося мізерним асортиментом комплементарних транзисторів, а також їх низькою робочою напругою. Якість звуковоспроизведения через УМЗЧ на ПТ часто оцінюють лише на рівні лампових і навіть вище за те, що в порівнянні з підсилювачами на біполярних транзисторах вони створюють менші нелінійні та інтермодуляційні спотворення, а також мають більш плавне наростання спотворень при перевантаженнях. Вони перевершують лампові підсилювачі як з демпфування навантаження, і по ширині робочої лінії звукових частот. Частота зрізу таких підсилювачів без ООС є значно вищою, ніж у УМЗЧ на біполярних транзисторах, що сприятливо позначається на всіх видах спотворень.

Нелінійні спотворення в УМЗЧ вносить в основному вихідний каскад, і їх зменшення зазвичай використовують загальну ООС. Спотворення у вхідному диференціальному каскаді, що використовується як суматор сигналів від джерела та ланцюга загальної ООС, можуть бути і невеликі, але за допомогою загальної ООС знизити їх неможливо

Перевантажувальна здатність диференціального каскаду на польових транзисторах приблизно 100...200 разів вище, ніж із біполярними транзисторами.

Застосування польових транзисторів у вихідному каскаді УМЗЧ дозволяє відмовитися від традиційних дво- та трикаскадних повторювачів за схемою Дарлінгтона з властивими їм недоліками.

Хороші результати дає використання у вихідному каскаді польових транзисторів із структурою метал-діелектрик-напівпровідник (МДП). У зв'язку з тим, що керування струмом у вихідному ланцюзі здійснюється вхідною напругою (аналогічно електровакуумним приладам), то при великих струмах швидкодія каскаду на польових МДП-транзисторах в режимі перемикання досить висока (τ = 50 нс). Такі каскади мають хороші передатні властивості на високих частотах і мають ефект температурної самостабілізації.

До переваг польових транзисторів ставляться:

  • мала потужність управління у статичному та динамічному режимах;
  • відсутність теплового пробою і слабка схильність до вторинного пробою;
  • термостабілізація струму стоку, що забезпечує можливість паралельного включення транзисторів;
  • передатна характеристика близька до лінійної чи квадратичної;
  • висока швидкодія в режимі перемикання, завдяки чому знижуються динамічні втрати;
  • відсутність явища накопичення надлишкових носіїв у структурі;
  • малий рівень шумів,
  • малі габарити та маса, великий термін служби.

Але, крім переваг, ці прилади мають і недоліки:

  • вихід з ладу при електричних навантаженнях за напругою;
  • можливе виникнення спотворень термічного походження на низьких частотах (нижче 100 Гц). На цих частотах сигнал змінюється так повільно, що за один півперіод температура кристала встигає змінитися і, отже, змінюються гранична напруга та крутість транзисторів.

Останній із зазначених недоліків обмежує вихідну потужність, особливо при низьких напругах живлення; вихід із положення - паралельне включення транзисторів та введення ООС.

Слід зазначити, що останнім часом зарубіжними фірмами (наприклад Exicon та ін.) розроблено чимало польових транзисторів, придатних для аудіоапаратури: EC-10N20, 2SK133-2SK135, 2SK175, 2SK176 з каналом п-типу; ЕС-10Р20, 2SJ48-2SJ50, 2SJ55, 2SJ56 з каналом р-типу. Такі транзистори відрізняються слабкою залежністю крутості (forward transfer admitance) від струму стоку та згладженими вихідними ВАХ

Параметри деяких польових транзисторів, у тому числі виробництва Мінського виробничого об'єднання "Інтеграл", наведено в табл. 1.

УМЗЧ із компліментарними польовими транзисторами

Більшість транзисторних безтрансформаторних УМЗЧ виконані за напівмостовою схемою. При цьому навантаження включається в діагональ моста, утвореного двома джерелами живлення та двома вихідними транзисторами підсилювача (рис. 1).

УМЗЧ із компліментарними польовими транзисторами

Коли комплементарних транзисторів був, вихідний каскад УМЗЧ виконували переважно на транзисторах однакової структури з навантаженням і джерелом живлення, з'єднаними із загальним проводом (рис. 1,а) Два можливих варіанти управління вихідними транзисторами представлені на рис. 2.

УМЗЧ із компліментарними польовими транзисторами

У першому з них (рис. 2,а) управління нижнім плечем вихідного каскаду виявляється у вигідніших умовах. Так як зміна напруги живлення мало, ефект Міллера (динамічна вхідна ємність) та ефект Ерлі (залежність струму колектора від напруги емітер-колектор) практично не виявляються. Ланцюг управління верхнім плечем включений тут послідовно з самим навантаженням, тому без вживання додаткових заходів (наприклад, каскодного включення приладів) зазначені ефекти виявляються значною мірою. За цим принципом було розроблено низку вдалих УМЗЧ [1-3].

За другим варіантом (рис. 2,6 - такій структурі більше відповідають МДП-транзистори) також було розроблено ряд УМЗЧ, наприклад [4, 5]. Однак і в таких каскадах важко забезпечити навіть із застосуванням генераторів струму [5] симетрію управління вихідними транзисторами. Інший приклад симетрування по вхідному опору - виконання плечей підсилювача за квазікомплементарною схемою або застосування комплементарних транзисторів (рис. 1, б) [6].

Прагнення симетрування плечей вихідного каскаду підсилювачів, виконаних на транзисторах однієї провідності, призвело до розробки підсилювачів з незаземленим навантаженням за схемою рис. 1, г [7-9]. Однак і тут не вдається досягти повної симетрії попередніх каскадів. Ланцюги негативної ОС з кожного плеча вихідного каскаду нерівнозначні; ланцюги ООС цих каскадів [7, 8] контролюють напругу на навантаженні по відношенню до вихідної напруги протилежного плеча. Крім того, таке схемотехнічне рішення потребує ізольованих джерел живлення. Через перелічені недоліки воно не знайшло широкого застосування.

З появою комплементарних біполярних та польових транзисторів вихідні каскади УМЗЧ переважно будують за схемами рис. 1, б, ст. Однак і в цих варіантах для розгойдування вихідного каскаду необхідно застосовувати високовольтні прилади. Транзистори передвихідного каскаду працюють з великим коефіцієнтом посилення по напрузі, а тому схильні до ефектів Міллера та Ерлі і без загальної ООС вносять значні спотворення, що вимагає від них високих динамічних характеристик. Живлення попередніх каскадів підвищеною напругою знижує і ККД підсилювача.

Якщо у рис. 1,б, перенести точку з'єднання із загальним проводом в протилежне плече діагоналі моста, отримаємо варіанти на рис. 1,д [10] та 1,е відповідно. У структурі каскаду за схемою рис. 1е автоматично вирішується проблема ізоляції вихідних транзисторів від корпусу. Підсилювачі, виконані за такими схемами, вільні від перелічених ряду недоліків.

Особливості схемотехніки підсилювача

До уваги радіоаматорів пропонується інвертуючий УМЗЧ (рис. 3), що відповідає структурній схемі вихідного каскаду на рис. 1,е.

УМЗЧ із компліментарними польовими транзисторами
(Натисніть для збільшення)

Вхідний диференціальний каскад виконаний на польових транзисторах (VT1, VT2 та DA1) за симетричною схемою. Їхні переваги в диференціальному каскаді загальновідомі: високі лінійність та перевантажувальна здатність, малі шуми. Застосування польових транзисторів значно спростило цей каскад, оскільки відпала необхідність у генераторах струму. Для збільшення коефіцієнта посилення з розімкнутою петлею ОС сигнал знімається з обох плечей диференціального каскаду, а перед наступним підсилювачем напруги встановлений емітерний повторювач на транзисторах VT3, VT4.

Другий каскад виконаний на транзисторах VT5-VT10 за комбінованою каскодною схемою зі слідкуючим живленням. Таке живлення каскаду з ОЕ нейтралізує в транзисторі вхідну динамічну ємність та залежність струму колектора від напруги емітер-колектор. У вихідному ступені цього каскаду застосовані високочастотні БСІТ-транзистори, які порівняно з біполярними (КП959 проти КТ940) мають удвічі більшу граничну частоту та вчетверо меншу ємність стоку (колектора).

Використання вихідного каскаду з живленням від окремих ізольованих джерел дозволило обійтися низьковольтним живленням (9) для попереднього підсилювача.

Вихідний каскад виконаний на потужних МДП-транзисторах, причому висновки їх стоку (і тепловідвідні фланці корпусів) з'єднані із загальним проводом, що спрощує конструкцію і збірку підсилювача.

Потужні МДП-транзистори, на відміну від біполярних, мають менший розкид параметрів, що полегшує їхнє паралельне включення. Основний розкид струмів між приладами виникає через нерівність порогової напруги і розкид вхідних ємностей. Введення додаткових резисторів опором 50 200 Ом у ланцюзі затворів забезпечує практично повне вирівнювання затримок включення та вимкнення та усуває розкид струмів при перемиканні.

Усі каскади підсилювача охоплені місцевою та загальною ООС.

Основні технічні характеристики

  • З розімкнутою ООС (R6 замінений на 22 МОм, С4 виключено)
  • Частота зрізу, кГц......300
  • Коефіцієнт посилення по напрузі, дБ......43
  • Коефіцієнт гармонік у режимі АВ, %, не більше......2

З увімкненою ООС

  • Вихідна потужність, Вт на навантаженні 4 Ом......100
  • на навантаженні 8 Ом......60
  • Діапазон відтворюваних частот, Гц......4...300000
  • Коефіцієнт гармонік, %, трохи більше......0,2
  • Номінальна вхідна напруга,......2
  • Струм спокою вихідного каскаду, А......0,15
  • Вхідний опір, кому .....24

Завдяки тому що частота зрізу підсилювача з розімкнутим ланцюгом ООС відносно висока, глибина зворотного зв'язку і коефіцієнт гармонік у всій смузі частот, що відтворюються практично постійні.

Знизу смуга робочих частот УМЗЧ обмежена ємністю конденсатора С1, зверху - С4 (при ємності 1,5 пф частота зрізу дорівнює 450 кГц).

Конструкція і деталі

Підсилювач виконаний на платі із двосторонньо фольгованого склотекстоліту (рис.4).

УМЗЧ із компліментарними польовими транзисторами

Плата з боку установки елементів максимально заповнена фольгою, з'єднаною із загальним дротом. Транзистори VT8, VT9 мають невеликі пластинчасті тепловідведення у вигляді "прапорця". В отвори для виведення стоку потужних польових транзисторів встановлені пістони; висновки стоку транзисторів VT11, VT14 з'єднані із загальним дротом з боку фольги (на малюнку відмічені хрестами).

Отвори 5 -7 плати для підключення висновків мережевого трансформатора і отвори для перемичок встановлені пістони. Резистори R19, R20, R22, R23 виконані з манганінового дроту діаметром 0,5 та довжиною 150 мм. Для придушення індуктивності провід складають навпіл і у складеному вигляді (біфілярно) намотують на оправці діаметром 4 мм.

Котушку індуктивності L1 намотують дротом ПЕВ-2 0,8 виток до витка по всій поверхні резистора потужністю 2 Вт (МЛТ або аналогічний).

Конденсатори С1, С5, С10, С11 – К73-17, причому С10 та С11 розпаяні з боку друкованого монтажу на висновки конденсаторів С8 та С9. Конденсатори С2, C3 – оксидні К50-35; конденсатор С4 – К10-62 або КД-2; С12 – К10-17 або К73-17.

Польові транзистори з каналом n-типу (VT1, VT2) потрібно підібрати приблизно таким же початковим струмом стоку, як і у транзисторів у збірці DA1. За напругою відсічення вони повинні відрізнятися більш ніж 20 %. Мікрозбирання DA1 К504НТЗБ можна замінити на К504НТ4Б. Можливе застосування підібраної пари транзисторів КП10ЗЛ (також з індексами Г, М, Д); КП307В - КП307Б (також А, Е), КП302А чи транзисторного складання КПC315А, КПC315Б (у разі плату доведеться переробити).

У позиціях VT8, VT9 можна використовувати комплементарні транзистори серій КТ851, КТ850, а також КТ814Г, КТ815Г (з граничною частотою 40 МГц) Мінського об'єднання "Інтеграл".

Крім зазначених у таблиці, можна використовувати, наприклад, такі пари МДП транзисторів: IRF530 та IRF9530; 2SK216 та 2SJ79; 2SK133-2SK135 та 2SJ48-2SJ50; 2SK175-2SK176 та 2SJ55-2SJ56.

Для стереофонічного варіанта живлення на кожен з підсилювачів подають від окремого трансформатора, бажано з кільцевим або стрижневим (ПЛ) магнітопроводом, потужністю 180...200 Вт. Між первинною та вторинними обмотками розміщують шар екрануючої обмотки проводом ПЕВ-2 0,5; один із висновків її з'єднують із загальним проводом. Висновки вторинних обмоток підводять до плати підсилювача екранованим дротом, а екран з'єднують із загальним дротом плати. На одному з мережевих трансформаторів розміщують обмотки для попередніх випрямлячів підсилювачів. Стабілізатори напруги виконані на мікросхемах IL7809AC (+9), IL7909AC (-9) - на схемі не показані. Для подачі на плату живлення 2x9 використаний з'єднувач ОНп-КГ-26-3 (XS1).

При налагодженні оптимальний струм диференціального каскаду встановлюють підстроєним резистором R3 мінімуму спотворень на максимальній потужності (приблизно в середині робочої ділянки). Резистори R4, R5 розраховані струм близько 2...3 мА у кожному плечі при початковому струмі стоку близько 4...6 мА. При меншому початковому струмі стоку опір цих резисторів необхідно пропорційно збільшити.

Струм спокою вихідних транзисторів в інтервалі 120... 150 мА встановлюють підстроювальним резистором R3, а при необхідності підбором резисторів R13, R14.

Імпульсний блок живлення

Тим радіоаматорам, хто зазнає труднощів із придбанням і намотуванням великих мережевих трансформаторів, для вихідних каскадів УМЗЧ пропонується імпульсний блок живлення. Живлення попереднього підсилювача у разі можна здійснювати від малопотужного стабілізованого БП.

Імпульсний БП (його схема показана на рис. 5) є нерегульованим автогенераторним напівмостовим інвертором. Застосування пропорційно-струмового управління транзисторами інвертора в поєднанні з комутуючим трансформатором, що насичується, дозволяє до моменту перемикання автоматично виводити активний транзистор з насичення. Це зменшує час розсмоктування заряду в базі та виключає наскрізний струм, а також знижує втрати потужності в ланцюгах управління, підвищуючи надійність та ККД інвертора.

УМЗЧ із компліментарними польовими транзисторами

Технічні характеристики ДБЖ

  • Вихідна потужність, Вт, не більше......360
  • Вихідна напруга......2x40
  • ККД, %, не менше......95
  • Частота перетворення, кГц......25

На вході мережевого випрямляча встановлений помеходавний фільтр L1C1C2. Резистор R1 обмежує кидок струму заряджання конденсатора C3. Послідовно з резистором на платі передбачена перемичка Х1, замість якої можна включити дросель для поліпшення фільтрації та збільшення жорсткості вихідної навантажувальної характеристики.

Інвертор має два контури позитивної ОС: перший - по напрузі (за допомогою обмоток II у трансформаторі Т1 та III - у Т2); другий - по струму (з трансформатором струму: виток 2-3 та обмотки 1-2, 4-5 трансформатора Т2).

Пристрій запуску виконано на транзисторі VT3. Після запуску перетворювача воно відключається завдяки наявності діода VD15, оскільки постійна часу ланцюга R6C8 значно більша за період перетворення.

Особливість інвертора в тому, що при роботі низьковольтних випрямлячів на великі ємності фільтра він потребує плавного запуску. Плавному запуску блоку сприяють дроселі L2 і L3 і певною мірою резистор R1.

Блок живлення виконаний на друкованій платі із однобічно фольгованого склотекстоліту товщиною 2 мм. Креслення плати показано на рис. 6.

УМЗЧ із компліментарними польовими транзисторами
(Натисніть для збільшення)

Намотувальні дані трансформаторів та відомості про магнітопроводи наведені в табл. 2. Усі обмотки виконані дротом ПЕВ-2.

УМЗЧ із компліментарними польовими транзисторами

Перед намотуванням трансформаторів гострі кромки кілець необхідно притупити наждачним папером або бруском і обмотати лакотанням (для Т1 - складені разом кільця трьома шарами). Якщо цієї попередньої обробки не зробити, то не виключено продавлювання лакоткані та замикання витків дроту на магнітопровід. В результаті різко зросте струм холостого ходу та розігріється трансформатор. Між обмотками 1-2, 5-6-7 і 8-9-10 намотують проводом ПЕВ-2 0,31 в один шар виток до витка обмотки, що екранують, один кінець яких (Е1, Е2) з'єднують із загальним проводом УМЗЧ.

Обмотка 2-3 трансформатора Т2 є витоком з проводу діаметром 1 мм поверх обмотки 6-7, впаяний кінцями в друковану плату.

Дроселі L2 та L3 виконані на броньових магнітопроводах БЗО з фериту 2000НМ. Обмотки дроселів намотані у два дроти до заповнення каркаса дротом ПЕВ-2 0,8. Враховуючи, що дроселі працюють із підмагнічуванням постійним струмом, між чашками необхідно вставити прокладки з немагнітного матеріалу завтовшки 0,3 мм.

Дросель L1 - типу Д13-20, його можна виконати також на броньовому магнітопроводі Б30 аналогічно дроселям L2, L3, але без прокладки, намотавши обмотки в два дроти МГТФ-0,14 до заповнення каркаса.

Транзистори VT1 ​​та VT2 закріплені на тепловідведеннях з ребристого алюмінієвого профілю з розмірами 55x50x15 мм через ізолюючі прокладки. Замість зазначених на схемі можна використовувати транзистори КТ8126А Мінського ПЗ "Інтеграл", а також MJE13007. Між виходами БП +40, -40 В і "своєю" середньою точкою (СТ1 і СТ2) підключені додаткові оксидні конденсатори К50-6 (на схемі не показані) ємністю по 2000 мкФ на 50 В. Ці чотири конденсатори встановлені на текстолітовій пластині розмірами 140x100 мм, закріпленої гвинтами на тепловідведення потужних транзисторів.

Конденсатори С1, С2 – К73-17 на напругу 630 В, C3 – оксидний К50-35Б на 350 В, С4, С7 – К73-17 на 250 В, С5, С6 – К73-17 на 400 В, С8 – К10-17 .

Імпульсний БП підключають до плати РОЗУМ у безпосередній близькості до висновків конденсаторів С6-С11. В цьому випадку діодний міст VD5-VD8 на платі РОЗУМ не монтують.

Для затримки підключення акустичних систем до УМЗЧ на час загасання перехідних процесів, що виникають під час включення живлення, та відключення АС при появі на виході підсилювача постійної напруги будь-якої полярності можна використовувати найпростіший [10] або складніший захисний пристрій.

література

  1. Хлупнов А. Аматорські підсилювачі низької частоти. -М: Енергія, 1976, с. 22.
  2. Акулінічів І. Підсилювач НЧ із синфазним стабілізатором режиму. - Радіо, 1980 № З.с.47.
  3. Гаревських І. Широкосмуговий підсилювач потужності. – Радіо, 1979, № 6. с. 43.
  4. Колосов В. Сучасний аматорський магнітофон. - М: Енергія, 1974.
  5. Борисов З. МДП-транзистори в підсилювачах НЧ. - Радіо. 1983 № 11, с. 36-39.
  6. Дорофєєв М. Режим У підсилювачах потужності ЗЧ. – Радіо, 1991, № 3, с. 53.
  7. Сиріцо А. Потужний підсилювач НЧ. – Радіо, 1978. № 8, с. 45-47.
  8. Сириц А. Підсилювач потужності на інтегральних ОУ. – Радіо, 1984, № 8, с. 35-37.
  9. Якименко М. Польові транзистори у мостовому УМЗЧ. - Радіо. 1986 № 9, с. 38, 39.
  10. Виноградов В. Пристрій захисту АС. – Радіо, 1987, № 8. с. 30.

Автор: А.Петров, м.Могильов, Білорусь

Дивіться інші статті розділу Підсилювачі потужності транзисторні.

Читайте та пишіть корисні коментарі до цієї статті.

<< Назад

Останні новини науки та техніки, новинки електроніки:

Штучна шкіра для емуляції дотиків 15.04.2024

У світі сучасних технологій, де віддаленість стає дедалі більш повсякденною, збереження зв'язку й почуття близькості грають значної ролі. Нещодавні розробки німецьких учених із Саарського університету в галузі штучної шкіри становлять нову еру у віртуальних взаємодіях. Німецькі дослідники з університету Саарського розробили ультратонкі плівки, які можуть передавати відчуття дотику на відстані. Ця передова технологія надає нові можливості для віртуального спілкування, особливо для тих, хто виявився далеко від своїх близьких. Ультратонкі плівки, розроблені дослідниками, товщиною всього 50 мікрометрів, можуть бути інтегровані в текстильні вироби та носитися як друга шкіра. Ці плівки діють як датчики, що розпізнають тактильні сигнали від мами чи тата, і як виконавчі механізми, що передають ці рухи дитині. Дотики батьків до тканини активують датчики, які реагують на тиск та деформують ультратонку плівку. Ця ...>>

Котячий унітаз Petgugu Global 15.04.2024

Турбота про домашніх тварин часто може бути викликом, особливо коли йдеться про підтримку чистоти в будинку. Представлено нове цікаве рішення стартапу Petgugu Global, яке полегшить життя власникам кішок та допоможе їм тримати свій будинок в ідеальній чистоті та порядку. Стартап Petgugu Global представив унікальний котячий унітаз, здатний автоматично змивати фекалії, забезпечуючи чистоту та свіжість у вашому будинку. Цей інноваційний пристрій оснащений різними розумними датчиками, які стежать за активністю вашого вихованця в туалеті та активуються для автоматичного очищення після його використання. Пристрій підключається до каналізаційної системи та забезпечує ефективне видалення відходів без необхідності втручання з боку власника. Крім того, унітаз має великий обсяг сховища, що змивається, що робить його ідеальним для домашніх, де живуть кілька кішок. Котячий унітаз Petgugu розроблений для використання з водорозчинними наповнювачами та пропонує ряд додаткових матеріалів. ...>>

Привабливість дбайливих чоловіків 14.04.2024

Стереотип про те, що жінки віддають перевагу "поганим хлопцям", довгий час був широко поширений. Однак нещодавні дослідження, проведені британськими вченими з Університету Монаша, пропонують новий погляд на це питання. Вони розглянули, як жінки реагують на емоційну відповідальність та готовність допомагати іншим у чоловіків. Результати дослідження можуть змінити наше уявлення, що робить чоловіків привабливими в очах жінок. Дослідження, проведене вченими з Університету Монаша, призводить до нових висновків щодо привабливості чоловіків для жінок. В рамках експерименту жінкам показували фотографії чоловіків з короткими історіями про їхню поведінку в різних ситуаціях, включаючи їхню реакцію на зіткнення з бездомною людиною. Деякі з чоловіків ігнорували безпритульного, тоді як інші надавали йому допомогу, наприклад, купуючи їжу. Дослідження показало, що чоловіки, які виявляють співчуття і доброту, виявилися більш привабливими для жінок порівняно з т ...>>

Випадкова новина з Архіву

Відкрито суперміцне золото 01.08.2019

Золото часто використовується для експериментів з високим тиском і вважається "золотим стандартом" для розрахунку тиску в експериментах зі статичними алмазними ковадлами.

Під час повільного стиснення при кімнатній температурі золото вважає за краще бути гранецентрованими кубічними (ГЦК) гратами при тисках, що втричі перевищують тиск у центрі Землі.

Проте дослідники із Ліверморської національної лабораторії ім. Лоуренса (LLNL) та Інституту Карнегі виявили, що при швидкому стисканні підвищення тиску та температури змінює кристалічну структуру золота до нової фази – об'ємно-центрованої кубічної (ОЦК) решітки.

За словами вчених, нова структура золота існує в екстремальних станах (дві третини тиску у центрі Землі). Експерименти проводились у синхротроні APS (Advanced Photon Source), джерелі синхротронного випромінювання третього покоління в Аргоннській національній лабораторії (США). Золото було ідеальним об'єктом вивчення через його сильного сигналу розсіяння рентгенівського випромінювання і мало вивченої фазової діаграми при високих температурах.

Результати дослідницької групи демонструють, що золото піддається фазовому переходу перед тим, як воно розплавиться. Майбутні експерименти, сфокусовані на механізмі переходу можуть допомогти прояснити ключові деталі цього процесу для виробництва міцної сталі.

Інші цікаві новини:

▪ Електростанція на дощовій воді

▪ Металошукач на долоні

▪ Навігатор Garmin Speak

▪ Одержання води навіть із повітря пустелі

▪ Лазерна зброя для військово-морських сил

Стрічка новин науки та техніки, новинок електроніки

 

Цікаві матеріали Безкоштовної технічної бібліотеки:

▪ розділ сайту Вимірювальна техніка. Добірка статей

▪ стаття Левова частка. Крилатий вислів

▪ статья Які зірки називають білими карликами і наскільки велика їхня середня щільність? Детальна відповідь

▪ стаття Робота на в'язальних верстатах типу МВ-3 тощо. Типова інструкція з охорони праці

▪ стаття Біогазові установки. Енциклопедія радіоелектроніки та електротехніки

▪ стаття Автомат-перемикач полярності напруги для зарядного пристрою Енциклопедія радіоелектроніки та електротехніки

Залишіть свій коментар до цієї статті:

ім'я:


E-mail (не обов'язково):


коментар:





All languages ​​of this page

Головна сторінка | Бібліотека | Статті | Карта сайту | Відгуки про сайт

www.diagram.com.ua

www.diagram.com.ua
2000-2024