Польові транзистори серії КП504. Довідкові дані

Безкоштовна технічна бібліотека

ЕНЦИКЛОПЕДІЯ РАДІОЕЛЕКТРОНІКИ ТА ЕЛЕКТРОТЕХНІКИ
Безкоштовна бібліотека / Схеми радіоелектронних та електротехнічних пристроїв

Польові транзистори серії КП504. Довідкові дані

Безкоштовна технічна бібліотека

Енциклопедія радіоелектроніки та електротехніки / Довідкові матеріали

Коментарі до статті

Польові n-канальні кремнієві транзистори КП504А-КП504Е середньої потужності з ізольованим затвором та збагаченням каналу виготовляють за епітаксійно-планарною технологією. Прилад оснащений вбудованим зворотним захисним діодом, включеним між витоком і стоком.

Транзистори призначені для роботи в джерелах вторинного електроживлення з безтрансформаторним входом, у регуляторах, стабілізаторах та перетворювачах напруги з безперервним та імпульсним керуванням, у приводних вузлах малопотужних електродвигунів та іншій апаратурі побутового та промислового призначення.

Прилади оформлені в пластмасовому корпусі КТ-26 (ТО-92) з твердими штампованими лудженими висновками (рис. 1). Закордонний аналог транзистора КП504А-BSS88.

Польові транзистори серії КП504

Основні характеристики при Токр.ср = 25±10°С

Порогова напруга, при струмі стоку 1 мА і сполучених затворі витоку . . .0,6...2
Опір відкритого каналу, Ом, не більше, при тривалості імпульсів не більше 300 мкс та їх шпаруватості не менше 50, при струмі стоку 0,25 А і напрузі затвор-витік 4,5 В для КП504А-КП504В, КП504Д, КП504Е. ...8
КП504Г......10
Опір відкритого каналу, Ом, не більше, при тривалості імпульсів не більше 300 мкс та їх шпаруватості не менше 50, при струмі стоку 14 мА і напрузі затвор-витік 1,8 В для КП504А-КП504В, КП504Д, КП504Е. .15
КП504Г......18
Залишковий струм стоку, мкА, не більше, при максимально допустимій напрузі сток-витік і нульовій напрузі затвор-виток......1
Струм витоку затвора, мкА, не більше, при нульовій напрузі сток-витік і напрузі затвор-витік ±20 В......±0,1
Крутизна вольт-амперної характеристики, А/В, не менше, при тривалості імпульсів не більше 300 мкс та їх шпаруватості не менше 50, при напрузі сток-витік 5 В і струмі стоку 0,25 А.......0,14, XNUMX
Постійна пряма напруга захисного діода, не більше, при тривалості імпульсів не більше 300 мкс і їх шпаруватості не менше 50, при нульовому напрузі затвор-витік і струмі через діод 0,5 А для
КП504А, КП504В-КП504Д......1,3
КП504Б, КП504Е......1,8

Тепловий опір кристал-середовище, °С/Вт, не більше, для

КП504А, КП504Б......125
КП504В-КП504Е......177
Ємність* транзистора, пФ, не більше, при нульовій напрузі затвор-витік, напрузі сток-виток 25 В і частоті 1 МГц вхідна......140
вихідна......30
прохідна......9

* Довідкові параметри.

Гранично допустимі значення

Найбільша напруга сток-витік, В, для КП504А, КП504Б, КП504Д, КП504Е......240
КП504В......200
КП504Г......250
Найбільша напруга затвор-витік, В......±10
Найбільший постійний струм стоку, мА, для
КП504А, КП504Б......250
КП504В, КП504Д, КП504Е......200
КП504Г......180
Найбільший імпульсний струм стоку, А......1
Найбільша постійна потужність, що розсіюється**, Вт, при температурі навколишнього середовища не більше 25 °С, для КП504А, КП504Б......1
КП504В-КП504Е......0,7
Найбільша температура кристала, °С......150
Робочий температурний інтервал довкілля, °С......-55...+125

* За умови неперевищення граничних значень потужності розсіювання та температури кристала

** При температурі навколишнього середовища Токр.ср від +25 до +125 °С максимальну потужність Рmax, що розсіюється, необхідно зменшувати відповідно до формули Рmax = ( Ткр max - Токр.ср)/RT.кр-ср, де Ткр max найбільша температура кристала ; RT.кр-ср - тепловий опір кристал-середовище.

Допустиме значення статичного потенціалу - 30 В відповідно до ОСТ 11 073.062. Режим роботи та умови монтажу транзисторів в апаратуру – за ОСТ 11 336.907.0.

Найбільш важливі графічні типові залежності параметрів транзисторів серії КП504 представлені нижче. На рис. 2,а і б показані вихідні характеристики при двох значеннях температури навколишнього середовища, а на рис. 3 - залежність струму стоку від напруги затвор-витік. На рис. 4 зображено нормалізовану залежність опору відкритого каналу приладу від температури (RK - відношення поточного опору каналу до опору при температурі кристала +25 °С).
Мал. 5 ілюструє температурну зміну порогової напруги, а рис. 6 – максимально допустимої постійної потужності розсіювання. Уявлення про те, як змінюються значення вхідної, вихідної та прохідної ємності транзисторів при зміні напруги сток-витік, дає графік на рис. 7. Залежність крутості вольт-амперної характеристики та опору відкритого каналу від струму стоку представлені на рис. 8 та 9 відповідно. Потужні можливості вбудованого захисного діода демонструють рис. 10.

(Натисніть для збільшення)

Автор: В.Кисельов, м.Мінськ, Білорусь

Дивіться інші статті розділу Довідкові матеріали.

Читайте та пишіть корисні коментарі до цієї статті.

<< Назад

Останні новини науки та техніки, новинки електроніки:

Машина для проріджування квітів у садах 02.05.2024

У сучасному сільському господарстві розвивається технологічний прогрес, спрямований на підвищення ефективності догляду за рослинами. В Італії було представлено інноваційну машину для проріджування квітів Florix, створену з метою оптимізації етапу збирання врожаю. Цей інструмент оснащений мобільними важелями, що дозволяють легко адаптувати його до особливостей саду. Оператор може регулювати швидкість тонких проводів, керуючи ним із кабіни трактора за допомогою джойстика. Такий підхід значно підвищує ефективність процесу проріджування квітів, забезпечуючи можливість індивідуального налаштування під конкретні умови саду, а також сорт та вид фруктів, що вирощуються на ньому. Після дворічних випробувань машини Florix на різних типах плодів результати виявились дуже обнадійливими. Фермери, такі як Філіберто Монтанарі, який використовував машину Florix протягом кількох років, відзначають значне скорочення часу та трудовитрат, необхідних для проріджування кольорів. ...>>

Удосконалений мікроскоп інфрачервоного діапазону 02.05.2024

Мікроскопи відіграють важливу роль у наукових дослідженнях, дозволяючи вченим занурюватися у світ невидимих для ока структур та процесів. Однак різні методи мікроскопії мають обмеження, і серед них було обмеження дозволу при використанні інфрачервоного діапазону. Але останні досягнення японських дослідників із Токійського університету відкривають нові перспективи вивчення мікросвіту. Вчені з Токійського університету представили новий мікроскоп, який революціонізує можливості мікроскопії в інфрачервоному діапазоні. Цей удосконалений прилад дозволяє побачити внутрішні структури живих бактерій із дивовижною чіткістю в нанометровому масштабі. Зазвичай мікроскопи в середньому інфрачервоному діапазоні обмежені низьким дозволом, але нова розробка японських дослідників дозволяє подолати ці обмеження. За словами вчених, розроблений мікроскоп дозволяє створювати зображення з роздільною здатністю до 120 нанометрів, що в 30 разів перевищує дозвіл традиційних метрів. ...>>

Пастка для комах 01.05.2024

Сільське господарство - одна з ключових галузей економіки, і боротьба зі шкідниками є невід'ємною частиною цього процесу. Команда вчених з Індійської ради сільськогосподарських досліджень – Центрального науково-дослідного інституту картоплі (ICAR-CPRI) у Шимлі представила інноваційне вирішення цієї проблеми – повітряну пастку для комах, яка працює від вітру. Цей пристрій адресує недоліки традиційних методів боротьби зі шкідниками, надаючи дані про популяцію комах у реальному часі. Пастка повністю працює за рахунок енергії вітру, що робить її екологічно чистим рішенням, яке не вимагає електроживлення. Її унікальна конструкція дозволяє відстежувати як шкідливі, так і корисні комахи, забезпечуючи повний огляд популяції в будь-якій сільськогосподарській зоні. "Оцінюючи цільових шкідників у потрібний час, ми можемо вживати необхідних заходів для контролю як комах-шкідників, так і хвороб", - зазначає Капіл. ...>>

Випадкова новина з Архіву

Samsung Galaxy Note 3 11.09.2013

Samsung Electronics представила новий флагманський смартфон Samsung Galaxy Note 3 на виставці IFA 2013 у Берліні. Пристрій оснащений збільшеним Full HD Super AMOLED дисплеєм з діагоналлю 5,7 дюйма та працює на 8-ядерному процесорі Samsung Exynos 5420 (чотири ядра з частотою 1.9 ГГц та чотири ядра з частотою 1.3 ГГц). Об'єм оперативної пам'яті зріс до рекордних 3 ГБ, а ємність акумулятора – до 3200 мАг. При цьому смартфон став тоншим (8,3 мм) і легшим (168 р.) свого попередника.

Об'єм вбудованої пам'яті дорівнює 32 ГБ, проте девайс здатний працювати з microSD ємністю до 64 ГБ. Камера з 13 Мп на Samsung Galaxy Note 3 має смарт-стабілізатор і CRI LED спалах.

У встановленому на новому флагмані Samsung програмне забезпечення було зроблено значний акцент на безпеку даних. Платформа Samsung KNOX дозволяє працювати з програмами всередині "контейнера", який захищає дані від шкідливого ПЗ та фішингу на системному рівні. Користувачі зможуть зберігати корпоративні програми та службову інформацію за допомогою Samsung KNOX, а ІТ-служба працюватиме зі сховищем через сервер синхронізації обміну даними EAS (Exchange ActiveSync Server).

Samsung Galaxy Note 3 також оснащений сервісом "Пошук смартфона", який дозволить заблокувати пристрій при втраті чи крадіжці. При необхідності, інформацію з пристрою можна видалити дистанційно.

Зазнав змін та дизайну пристрою. Задня панель, яка в попередніх моделях була виготовлена з пластику, тепер виконана з текстурованого покриття, схожого на шкіру. Samsung Galaxy Note 3 випускатиметься у двох колірних рішеннях: чорному та білому.

Інші цікаві новини:

▪ Червоне вино здатне продовжити життя

▪ Ожиріння погіршує розумові здібності

▪ Водень перевели у метал

▪ Переробка харчових відходів у їжу

▪ Свідомість існує окремо від мозку

Стрічка новин науки та техніки, новинок електроніки

Цікаві матеріали Безкоштовної технічної бібліотеки:

▪ розділ сайту Регулятори струму, напруги, потужності. Добірка статей

▪ стаття Безродні космополіти. Крилатий вислів

▪ стаття Як виникло столове приладдя? Детальна відповідь

▪ стаття Методист навчального відділу. Посадова інструкція

▪ стаття Фотоелектричні системи для водопостачання та вентиляції. Енциклопедія радіоелектроніки та електротехніки

▪ стаття Приймач прямого перетворення на 144 МГц. Енциклопедія радіоелектроніки та електротехніки

Залишіть свій коментар до цієї статті:

All languages of this page

Головна сторінка | Бібліотека | Статті | Карта сайту | Відгуки про сайт