Польові транзистори. Типові сфери застосування. Довідкові дані

Безкоштовна технічна бібліотека

ЕНЦИКЛОПЕДІЯ РАДІОЕЛЕКТРОНІКИ ТА ЕЛЕКТРОТЕХНІКИ
Безкоштовна бібліотека / Схеми радіоелектронних та електротехнічних пристроїв

Польові транзистори. Типові сфери застосування. Довідкові дані

Безкоштовна технічна бібліотека

Енциклопедія радіоелектроніки та електротехніки / Довідкові матеріали

Коментарі до статті

транзистор	Призначення
2П101	для роботи у вхідних каскадах підсилювачів низької частоти та постійного струму з високим вхідним опором
KP102	для роботи у вхідних каскадах підсилювачів низької частоти та постійного струму з високим вхідним опором
2П103 2П103-9	для роботи у вхідних каскадах підсилювачів низької частоти та постійного струму з високим вхідним опором
2ПС104	для роботи у вхідних каскадах диференціальних малошумливих підсилювачів низької частоти та постійного струму з високим вхідним опором
2П201	для роботи у вхідних каскадах підсилювачів низької частоти та постійного струму з високим вхідним опором
2ПС202	для роботи у вхідних каскадах диференціальних малошумливих підсилювачів низької частоти та постійного струму з високим вхідним опором
КПС203	для роботи у вхідних каскадах диференціальних малошумливих підсилювачів низької частоти та постійного струму з високим вхідним опором
KP301	для застосування у вхідних каскадах малошумливих підсилювачів та нелінійних малосигнальних схемах з високим вхідним опором
KP302	для застосування в широкосмугових підсилювачах у діапазоні частот до 150 МГц, а також у перемикаючих та комутуючих пристроях
KP303	призначені для застосування у вхідних каскадах підсилювачів високої (Д, Е, І) та низької (А, Б, В, Ж) частот з високим вхідним опором. Транзистори КП303Г призначені для застосування в зарядочутливих підсилювачах та інших схемах ядерної спектрометрії.
KP304	призначені для застосування в перемикаючих та підсилювальних схемах з високим вхідним опором
2П305	призначені для застосування у підсилювальних каскадах високої та низької частот з високим вхідним опором
KP306	призначені для застосування в перетворювальних та підсилювальних каскадах високої та низької частот з високим вхідним опором
KP307	призначені для застосування у вхідних каскадах підсилювачів високої та низької частот з високим вхідним опором. Транзистори КП307Ж призначені для застосування у зарядочутливих підсилювачах та інших схемах ядерної спектрометрії.
2П308-9	призначені для застосування у вхідних каскадах підсилювачів низької частоти та постійного струму (А, Б, В), у перемикаючих схемах та схемах комутаторів (Г, Д) з високим вхідним опором.
KP310	для застосування в приймально-передаючих пристроях надвисокочастотного діапазону
KP312	призначені для застосування у вхідних каскадах підсилювачів та перетворювачів надвисокочастотного діапазону
KP313	призначені для застосування у підсилювальних каскадах високої та низької частот з високим вхідним опором
KP314	для застосування в каскадах, що охолоджуються, підсилювачів пристроїв ядерної спектрометрії
КПС315	для роботи у вхідних каскадах диференціальних малошумливих підсилювачів низької частоти та постійного струму з високим вхідним опором
КПС316	для роботи у вхідних каскадах диференціальних підсилювачів, балансних схем різного призначення з високим вхідним опором
3П320-2	арсенідогалієві польові транзистори з бар'єром Шоттки для НВЧ підсилювальних пристроїв з нормованим коефіцієнтом шуму на частоті 8 ГГц
3П321-2	арсенідогалієві польові транзистори з бар'єром Шоттки для НВЧ підсилювальних пристроїв з нормованим коефіцієнтом шуму на частоті 8 ГГц
KP322	тетрод на основі pn переходу для підсилювальних та змішувальних каскадів на частотах до 400 МГц
КП323-2	транзистор з pn переходом для вхідних каскадів попередніх малошумливих попередніх підсилювачів низької та високої частот (до 400 МГц)
3П324-2	арсенідогалієві польові транзистори з бар'єром Шоттки для НВЧ підсилювальних пристроїв з нормованим коефіцієнтом шуму на частоті 12 ГГц
3П325-2	арсенідогалієві польові транзистори з бар'єром Шоттки з нормованим коефіцієнтом шуму на частоті 8 ГГц для НВЧ пристроїв з малим рівнем шуму, а також для фотоприймальних пристроїв з малим рівнем власних шумів
3П326-2	арсенідогалієві польові транзистори з бар'єром Шоттки з нормованим коефіцієнтом шуму на частоті 17.4 ГГц для застосування у вхідних та наступних каскадах малошумних підсилювачів
KP327	МОП тетрод з n-каналом та затворами, захищеними діодами, для селекторів телевізійних каналів метрових та дециметрових хвиль
3П328-2	арсенідогалієві польові двозатворні транзистори з бар'єром Шоттки з нормованим коефіцієнтом шуму на частоті 8 ГГц для застосування у вхідних і наступних каскадах підсилювачів малошумних
KP329	для застосування у вхідних каскадах підсилювачів низької та високої частот (до 200 МГц), у перемикаючих пристроях та комутаторах з високим вхідним опором
3П330-2	арсенідогалієві польові транзистори з бар'єром Шоттки з нормованим коефіцієнтом шуму на частоті 25 ГГц (3П330А-2, 3П330Б-2) та 17.4 ГГц (3П330В-2) для застосування у вхідних та наступних каскадах малошумних підсилювачів
3П331-2	арсенідогалієві польові транзистори з бар'єром Шоттки з нормованим коефіцієнтом шуму на частоті 10 ГГц для застосування в малошумливих підсилювачах та підсилювачах з розширеним динамічним діапазоном
2П332	польовий p-канальний транзистор для перемикаючих та підсилювальних пристроїв
2П333	польовий n-канальний транзистор для застосування у вхідних каскадах підсилювачів низької та високої частот (до 200 МГц), у перемикаючих пристроях та комутаторах з високим вхідним опором
2П335-2	для підсилювальних пристроїв
2П336-1	для перемикаючих та підсилювальних пристроїв
2П337-Р	транзистори, підібрані в пари за електричними параметрами, призначені для застосування в балансних підсилювачах, диференціальних підсилювачах з високим вхідним опором на частотах до 400 МГц.
2П338-Р1	транзистори, підібрані в пари за електричними параметрами, призначені для застосування в балансних підсилювачах, диференціальних підсилювачах з високим вхідним опором.
3П339-2	арсенідогалієві польові транзистори з бар'єром Шоттки з нормованим коефіцієнтом шуму на частотах 8 і 17.4 ГГц для застосування в підсилювачах малошумливих, у підсилювачах з розширеним динамічним діапазоном і в широкосмугових підсилювачах
2П341	транзистор з pn переходом для вхідних каскадів малошумних підсилювачів в діапазоні частот 20 Гц - 500 МГц
KP342	для перемикаючих пристроїв
3П343-2	арсенідогалієві польові транзистори з бар'єром Шоттки з нормованим коефіцієнтом шуму на частоті 12 ГГц для застосування у вхідних та наступних каскадах малошумних підсилювачів
3П344-2	арсенідогалієві польові транзистори з бар'єром Шоттки з нормованим коефіцієнтом шуму на частоті 4 ГГц для застосування у вхідних та наступних каскадах малошумних підсилювачів
3П345-2	арсенідогалієві польові транзистори з бар'єром Шоттки для застосування у фотоприймальних пристроях з малим рівнем власних шумів
КП346-9	МОП n-канальний двозатворний транзистор із затворами, захищеними діодами, для селекторів каналів ТБ приймачем (А,Б-для дециметрових хвиль, В-для метрових хвиль)
2П347-2	n-канальний двозатворний транзистор для вхідних каскадів радіоприймачів
KP350	призначені для застосування в підсилювальних, генераторних та перетворювальних каскадах надвисокої частоти (до 700 МГц)
KP351	транзистори з бар'єром Шоттки з двома затворами (3П351А-2) та з одним затвором (3П351А1-2), призначені для застосування в малошумних підсилювачах, змішувачах та інших пристроях у сантиметровому діапазоні
КП365А	BF410C n-канальний транзистор
КП382А	BF960 двозатворний польовий транзистор селекторів каналів ЦТ
КП501А	ZVN2120 високовольтний польовий МОП-транзистор, що використовується як ключ для аналогових засобів зв'язку
KP601 2П601-9	польові транзистори з дифузійним затвором та n-каналом, робота у вхідних та вихідних каскадах підсилювачів та перетворювачів частоти
АП602-2	арсенідогалієві польові транзистори з бар'єром Шоттки та n-каналом, робота в підсилювачах потужності, автогенераторах, перетворювачах частоти в діапазоні частот 3-12 ГГц
3П603-2	арсенідогалієві польові транзистори з бар'єром Шоттки та n-каналом, робота в підсилювачах потужності, автогенераторах, перетворювачах частоти в діапазоні частот до 12 ГГц
3П604-2	арсенідогалієві польові транзистори з бар'єром Шоттки та n-каналом, робота в підсилювачах потужності, автогенераторах, перетворювачах частоти в діапазоні частот 3-18 ГГц
3П605-2	арсенідогалієві польові транзистори з бар'єром Шоттки та n-каналом, робота в малошумних підсилювачах та підсилювачах з розширеним динамічним діапазоном
3П606-2	арсенідогалієві польові транзистори з бар'єром Шоттки та n-каналом, робота в підсилювачах потужності, автогенераторах, перетворювачах частоти в діапазоні частот до 12 ГГц
3П607-2	арсенідогалієві польові транзистори з n-каналом для роботи в підсилювачах потужності, генераторах, перетворювачах частоти в діапазоні частот до 10 ГГц
3П608-2	арсенідогалієві польові транзистори з бар'єром Шоттки та n-каналом для роботи у вихідних каскадах підсилювачів та генераторів
KP701	польові транзистори з ізольованим затвором для вторинних джерел живлення, перемикаючих та імпульсних пристроїв із частотою перемикання до 1 МГц
KP702	польові транзистори з ізольованим затвором та n-каналом для вторинних джерел живлення, перемикаючих та імпульсних пристроїв, ключових стабілізаторів та перетворювачів напруги, підсилювачів, генераторів
KP703	польові транзистори з ізольованим затвором та p-каналом для вторинних джерел живлення, перемикаючих та імпульсних пристроїв, ключових стабілізаторів та перетворювачів напруги, підсилювачів, генераторів
KP704	польові транзистори з ізольованим затвором та n-каналом для використання у вихідних каскадах кінцевих відеопідсилювачів багатобарвних графічних дисплеїв, у вторинних джерелах енергоживлення, у пристроях комутації електричних кіл
KP705	польові транзистори з ізольованим затвором і n-каналом для використання в імпульсних джерелах живлення, в перемикаючих та імпульсних пристроях
KP706	польові транзистори з ізольованим затвором і n-каналом для використання в імпульсних джерелах живлення, в перемикаючих та імпульсних пристроях
KP709	польові транзистори з ізольованим затвором і n-каналом для використання в імпульсних джерелах електроживлення ТБ приймачів четвертого і п'ятого поколінь, перемикаючих та імпульсних пристроях радіоелектронної апаратури, пристроях електроприводу. Аналог BUZ90, BUZ90A Siemens.
KP712	польові транзистори з ізольованим затвором та p-каналом для роботи в імпульсних пристроях
КП717Б	IRF350 МОП-транзистор з 400 В, 0.3 Ом
КП718А	BUZ45 МОП-транзистор з 500 В, 0.6 Ом
КП718Е1	IRF453 МОП-транзистор з 500 В, 0.6 Ом
КП722А	BUZ36 МОП-транзистор з 200 В, 0.12 Ом
КП723А	IRF44 МОП-транзистор з 60 В, 0.028 Ом
КП723Б	IRF44 МОП-транзистор з 60 В, 0.028 Ом
КП723В	IRF45 МОП-транзистор з 60 В, 0.028 Ом
КП724Г	IRF42 МОП-транзистор з 60 В, 0.028 Ом
КП724А	MTP6N60 МОП-транзистор з 600 В, 1.2 Ом
КП724Б	IRF842 МОП-транзистор з 600 В, 1.2 Ом
КП725А	TPF450 МОП-транзистор з 500 В, 0.4 Ом
КП726А	BUZ90 МОП-транзистор з 600 В, 1.2 Ом
КП728А	МОП-транзистор з 800 В, 3.0 Ом
KP801	польові транзистори pn переходом для застосування у вихідних каскадах підсилювачів звуковідтворювальної апаратури
KP802	польові транзистори pn переходом робота в ключових схемах перетворювачів постійної напруги як швидкодіючий комутатор
KP803	польові транзистори з ізольованим затвором для вторинних джерел живлення, перемикаючих та імпульсних пристроїв, а також для ключових стабілізаторів та перетворювачів напруги, підсилювачів та генераторів
KP804	польові транзистори з ізольованим затвором та n-каналом для швидкодіючих імпульсних схем
KP805	польові транзистори з ізольованим затвором та n-каналом для побудови джерел вторинного електроживлення з безтрансформаторним входом, що працюють від промислової мережі змінного струму з частотою 50 Гц та напругою 220 В та для інших пристроїв перетворення електричної енергії
KP809	МОП транзистори для роботи на частотах до 3 МГц і вище в імпульсних джерелах живлення з безтрансформаторним входом, регуляторах, стабілізаторах та перетворювачах
KP810	прилад зі статичною індукцією для застосування у схемах високочастотних джерел живлення з безтрансформаторним входом, ключових підсилювачів потужності
KP812	польові транзистори з ізольованим затвором та n-каналом для імпульсних джерел живлення, регуляторів, підсилювачів звукової частоти
KP813	МОП транзистори для роботи на частотах до 3 МГц і вище в імпульсних джерелах живлення з безтрансформаторним входом, регуляторах, стабілізаторах та перетворювачах
KP814	польові транзистори з ізольованим затвором та n-каналом для імпульсних джерел живлення
KP901	польові транзистори з ізольованим затвором призначені для застосування в підсилювальних та генераторних каскадах у діапазоні коротких та ультракоротких довжин хвиль (до 100 МГц)
KP902	польові транзистори з ізольованим затвором для застосування в приймально-передаючих пристроях у діапазоні частот до 400 МГц
KP903	польові транзистори pn переходом для застосування в приймально-передавальних і перемикаючих пристроях в діапазоні частот до 30 МГц
KP904	польові транзистори з ізольованим затвором призначені для застосування в підсилювальних, перетворювальних та генераторних каскадах у діапазоні коротких та ультракоротких довжин хвиль
KP905	польові транзистори з ізольованим затвором для посилення та генерування сигналів у діапазоні частот до 1500 МГц
KP907	польові транзистори з ізольованим затвором для посилення та генерування сигналів у діапазоні частот до 1500 МГц, а також для застосування у швидкодіючих приладах, що перемикають, наносекундного діапазону
KP908	польові транзистори з ізольованим затвором для посилення та генерування сигналів у діапазоні частот до 2.25 ГГц
KP909	польові транзистори з ізольованим затвором для роботи в підсилювальних та генераторних пристроях у безперервному та імпульсному режимах на частотах до 400 МГц
АП910-2	арсенідогалієві польові транзистори з бар'єром Шоттки та n-каналом для роботи в підсилювачах потужності, генераторах, в діапазоні частот до 8 ГГц
KP911	польові транзистори з ізольованим затвором для роботи в підсилювальних та генераторних пристроях
KP912	польові транзистори з ізольованим затвором для застосування в ключових стабілізаторах та перетворювачах напруги, імпульсних пристроях, підсилювачах та генераторах
KP913	польові транзистори з ізольованим затвором для посилення та генерування сигналів у діапазоні частот до 400 МГц при напрузі живлення до 45 В
2П914	польовий транзистор з pn переходом д для застосування в підсилювачах, перетворювачах і генераторах високої частоти, а також у пристроях, що перемикають
3П915-2	арсенідогалієві польові транзистори з бар'єром Шоттки та n-каналом для роботи в підсилювачах потужності, генераторах, в діапазоні частот до 8 ГГц
KP918	польові транзистори з ізольованим затвором для посилення та генерування сигналів у діапазоні частот до 1 ГГц, а також для швидкодіючих перемикаючих пристроїв
KP920	польові транзистори з ізольованим затвором для посилення та генерування сигналів у діапазоні частот до 400 МГц, а також для швидкодіючих перемикаючих пристроїв
KP921	польові транзистори з ізольованим затвором, призначений для застосування в швидкодіючих пристроях, що перемикають.
2П922 2П922-1	польові транзистори з ізольованим затвором і n-каналом, призначені для застосування в джерелах вторинного електроживлення, швидкодіючих перемикаючих і імпульсних пристроях, а також в стабілізаторах і перетворювачах напруги
KP923	польові транзистори з ізольованим затвором для роботи в підсилювальних та генераторних пристроях, у лінійних підсилювальних пристроях на частоти до 1 ГГц
3П925-2	арсенідогалієві польові транзистори з бар'єром Шоттки і n-каналом для роботи в широкосмугових підсилювачах потужності в діапазоні частот 3.7-4.2 ГГц (3П925А) і 4.3-4.8 ГГц (3П925Б) в тракті з хвилевим опором цепи 50
2П926	польові транзистори для вторинних джерел живлення, перемикаючих та імпульсних пристроїв, а також для ключових та лінійних пристроїв
3П927	арсенідогалієві польові транзистори з бар'єром Шоттки з n-каналом для роботи в підсилювачах потужності, автогенераторах, перетворювачах частоти в діапазоні частот 1-18 ГГц
2П928	два МОП транзистори з n-каналом та загальним витоком, генераторні, призначені для застосування в підсилювачах потужності та генераторах
3П930	арсенідогалієві польові транзистори з бар'єром Шоттки та n-каналом для роботи в діапазоні частот 5.7-6.3 ГГц
KP932	високовольтний транзистор для роботи в каскадах відеопідсилювачів кольорових дисплеїв
KP933	два МДП транзистора з n-каналом та загальним витоком для роботи в лінійних та широкосмугових підсилювальних пристроях та автогенераторах з високою стабільністю частоти (для посилення та генерування сигналів з частотою до 1 ГГц)
KP934	транзистори зі статичною індукцією та n-каналом призначені для застосування у джерелах вторинного електроживлення та у високовольтних ключових пристроях
KP937	перемикальні польові транзистори з pn переходом і n-каналом для застосування в джерелах вторинного електроживлення, перетворювачах напруги, системах електроприводу, імпульсних генераторах електроіскрових обробних комплексів
KP938	перемикальні високовольтні польові транзистори з pn переходом та n-каналом для застосування в джерелах вторинного електроживлення, для живлення двигунів постійного та змінного струму, у потужних комутаторах, підсилювачах низької частоти
2П941	для генерування сигналів та посилення потужності в радіоелектронних схемах з робочою частотою до 400-600 МГц при напрузі живлення 12 В
KP944	МДП транзистор з p-каналом для роботи у схемах управління накопичувачів ЕОМ на магнітних дисках
KP944	МДП транзистор з n-каналом для роботи у схемах управління накопичувачів ЕОМ на магнітних дисках
KP946	прилад зі статичною індукцією для застосування у схемах високочастотних джерел живлення з безтрансформаторним входом, ключових підсилювачів потужності
KP948	прилад зі статичною індукцією для застосування у схемах високочастотних джерел живлення з безтрансформаторним входом, ключових підсилювачів потужності
KP953	прилад зі статичною індукцією для застосування у схемах високочастотних джерел живлення з безтрансформаторним входом, ключових підсилювачів потужності
KP955	прилад зі статичною індукцією для застосування у схемах високочастотних джерел живлення з безтрансформаторним входом, ключових підсилювачів потужності

Публікація: cxem.net

Дивіться інші статті розділу Довідкові матеріали.

Читайте та пишіть корисні коментарі до цієї статті.

<< Назад

Останні новини науки та техніки, новинки електроніки:

Машина для проріджування квітів у садах 02.05.2024

У сучасному сільському господарстві розвивається технологічний прогрес, спрямований на підвищення ефективності догляду за рослинами. В Італії було представлено інноваційну машину для проріджування квітів Florix, створену з метою оптимізації етапу збирання врожаю. Цей інструмент оснащений мобільними важелями, що дозволяють легко адаптувати його до особливостей саду. Оператор може регулювати швидкість тонких проводів, керуючи ним із кабіни трактора за допомогою джойстика. Такий підхід значно підвищує ефективність процесу проріджування квітів, забезпечуючи можливість індивідуального налаштування під конкретні умови саду, а також сорт та вид фруктів, що вирощуються на ньому. Після дворічних випробувань машини Florix на різних типах плодів результати виявились дуже обнадійливими. Фермери, такі як Філіберто Монтанарі, який використовував машину Florix протягом кількох років, відзначають значне скорочення часу та трудовитрат, необхідних для проріджування кольорів. ...>>

Удосконалений мікроскоп інфрачервоного діапазону 02.05.2024

Мікроскопи відіграють важливу роль у наукових дослідженнях, дозволяючи вченим занурюватися у світ невидимих для ока структур та процесів. Однак різні методи мікроскопії мають обмеження, і серед них було обмеження дозволу при використанні інфрачервоного діапазону. Але останні досягнення японських дослідників із Токійського університету відкривають нові перспективи вивчення мікросвіту. Вчені з Токійського університету представили новий мікроскоп, який революціонізує можливості мікроскопії в інфрачервоному діапазоні. Цей удосконалений прилад дозволяє побачити внутрішні структури живих бактерій із дивовижною чіткістю в нанометровому масштабі. Зазвичай мікроскопи в середньому інфрачервоному діапазоні обмежені низьким дозволом, але нова розробка японських дослідників дозволяє подолати ці обмеження. За словами вчених, розроблений мікроскоп дозволяє створювати зображення з роздільною здатністю до 120 нанометрів, що в 30 разів перевищує дозвіл традиційних метрів. ...>>

Пастка для комах 01.05.2024

Сільське господарство - одна з ключових галузей економіки, і боротьба зі шкідниками є невід'ємною частиною цього процесу. Команда вчених з Індійської ради сільськогосподарських досліджень – Центрального науково-дослідного інституту картоплі (ICAR-CPRI) у Шимлі представила інноваційне вирішення цієї проблеми – повітряну пастку для комах, яка працює від вітру. Цей пристрій адресує недоліки традиційних методів боротьби зі шкідниками, надаючи дані про популяцію комах у реальному часі. Пастка повністю працює за рахунок енергії вітру, що робить її екологічно чистим рішенням, яке не вимагає електроживлення. Її унікальна конструкція дозволяє відстежувати як шкідливі, так і корисні комахи, забезпечуючи повний огляд популяції в будь-якій сільськогосподарській зоні. "Оцінюючи цільових шкідників у потрібний час, ми можемо вживати необхідних заходів для контролю як комах-шкідників, так і хвороб", - зазначає Капіл. ...>>

Випадкова новина з Архіву

Телефон із звичайним акумулятором заряджається вчетверо швидше 24.08.2014

Стартап Qnovo з Каліфорнії розробив технологію, здатну вчетверо скоротити час зарядки смартфона. Зарядка сучасного мобільного телефону протягом 4 хвилин забезпечує приблизно 15 години автономної роботи в режимі розмови, тоді як технологія Qnovo може збільшити цей час до 1,5 годин, повідомляє Technology Review.

Як правило, для того, щоб збільшити ємність акумуляторної батареї або скоротити час заряджання, виробники застосовують нові матеріали в її конструкції. Технологія Qnovo цього не вимагає. Суть технології полягає в спостереженні за робочими параметрами батареї в процесі зарядки і регулюванні швидкості зарядки шляхом зміни напруги, що подається на контакти батареї.

Більш конкретні деталі в компанії не розкривають, але запевняють, що технологія вирішує одразу дві проблеми: повільну зарядку батареї та її деградацію з часом. "Звичайний метод має на увазі, що чим швидше ви заряджаєте батарею, тим коротшим стає термін її служби", - кажуть у Qnovo, стверджуючи, що їхня технологія позбавлена цього недоліку.

Стартап має 5 патентів на свою розробку і в даний час веде переговори з кількома виробниками смартфонів щодо її використання у нових моделях мобільних пристроїв. Генеральний директор Qnovo Надим Малуф (Nadim Maluf) розраховує, що перші смартфони з'являться у продажу у 2015 р. Технологія працює з будь-якою літієво-іонною батареєю, додав він.

За словами Малуфа, для роботи технології Qnovo необхідно помістити в операційну систему мобільного пристрою програмний код і оснастити чіпом Qnovo. Чіп невеликий у розмірах – займає всього 9 мм2. Тому в компанії вважають, що з його інтеграцією в жодного вендора проблем не виникне.

Чіп знаходиться в електричному ланцюзі між мережним адаптером та батареєю. Він дозволяє виконувати перевірку параметрів батареї та адаптувати напругу 1 тис. разів на секунду. Крім того, чіп дозволяє обійти блокування параметрів заряджання акумулятора, яке встановлюється чіпсетами Qualcomm - досить поширеними в мобільній електроніці.

Інші цікаві новини:

▪ Недорогий емулятор для сімейства C2000 DSP

▪ Повільний годинник оленя

▪ Датчики на айбергах засікуть підводні човни

▪ Жорсткий диск із сервісами відновлення даних

▪ Антарктику засівають

Стрічка новин науки та техніки, новинок електроніки

Цікаві матеріали Безкоштовної технічної бібліотеки:

▪ розділ сайту Інструменти та механізми для сільського господарства. Добірка статей

▪ стаття Простий парник. Поради домашньому майстру

▪ стаття Чому станцію бакинського метро 28 квітня було перейменовано на 28 травня? Детальна відповідь

▪ стаття Контролер. Посадова інструкція

▪ стаття Цифрова шкала – частотомір. Енциклопедія радіоелектроніки та електротехніки

▪ стаття Блок живлення, 12 вольт 6 ампер. Енциклопедія радіоелектроніки та електротехніки

Залишіть свій коментар до цієї статті:

All languages of this page

Головна сторінка | Бібліотека | Статті | Карта сайту | Відгуки про сайт