Безкоштовна технічна бібліотека ЕНЦИКЛОПЕДІЯ РАДІОЕЛЕКТРОНІКИ ТА ЕЛЕКТРОТЕХНІКИ Широкосмуговий УМЗЧ з малими спотвореннями. Енциклопедія радіоелектроніки та електротехніки Енциклопедія радіоелектроніки та електротехніки / Підсилювачі потужності транзисторні Тривала експлуатація описаного нижче підсилювача потужності у складі радіокомплексу для відтворення програм з компакт-дисків та високоякісних магнітофонних записів показала, що, незважаючи на більший коефіцієнт гармонік, суб'єктивна якість вихідного сигналу задовольняє найвищі вимоги. Численні прослуховування різних музичних програм при різних рівнях вихідної потужності найвимогливішими слухачами не виявили жодних помітних на слух похибок відтворення. До переваг підсилювача можна віднести його здатність працювати на ультразвукових частотах близько 100 кГц при повній вихідній потужності з досить малими спотвореннями сигналу, виключно малі спотворення на низьких і середніх частотах, а також відносну простоту. Основні технічні характеристики: Номінальна (максимальна) потужність, Вт,
Принципова схема підсилювача потужності показано на рис. 1. Вхідний каскад виконаний ОУ DA1. Тут, також як рекомендувалося в [Дмитрієв Н., Феофілактів Н. ОУ в підсилювачах потужності. - Радіо, 1986 №9, с.42-46], як вихідний сигнал ОУ використовується його струм живлення, з тією лише різницею, що з двох транзисторів вихідного каскаду ОУ працює тільки один, а другий завжди вимкнений. Вихідний сигнал знімається з негативного виведення живлення ОУ DA1 і через включений за схемою ПРО транзистор VT2 подається на підсилювач напруги, виконаний за звичайною схемою на транзисторі VT8 зі стабілізатором струму на транзисторах VT3 і VT6. Особливість підсилювача напруги – досить великий колекторний струм спокою транзисторів VT6 та VT8 – 40 мА. Дослідження показали, що при зменшенні струму спотворення вихідного сигналу починають зростати. Потужність, що розсіюється кожним з транзисторів VT6 і VT8, - 1 Вт, тому необхідно вжити заходів для їхнього охолодження. Тепловий контакт між транзисторами VT3 і VT6 запобігає збільшенню струму спокою транзисторів підсилювача напруги при їх нагріванні. Для лінеаризації цього каскаду використано місцеву ООС. Напруга ООС знімається з колектора транзистора VT8 і через дільник R10 R12 подається в емітерний ланцюг вихідного транзистора ОУ DA1 (висновок 6).
З виходу підсилювача напруги через резистори R16 і R17 сигнал надходить на вихідний комплементарний двокаскадний повторювач на транзисторах VT9 - VT15. З метою зменшення комутаційних спотворень на високих частотах вихідний повторювач виконаний на ВЧ та НВЧ транзисторах. Так як вітчизняна промисловість високочастотних транзисторів з pn-р структурою, придатних для вихідного каскаду, у достатній кількості не випускає, як таке використовуються чотири паралельно з'єднаних транзистора КТ932Б з вирівнювальними резисторами в емітерних ланцюгах. Характеристики такого комплекту добре збігаються з характеристиками npn транзистора 2Т908А, який використовується в іншому плечі вихідного каскаду. З метою зменшення комутаційних спотворень опору резисторів в емітерних ланцюгах вихідних транзисторів обрано досить малими. Підсилювач охоплений ланцюгом загальної ООС (R2, R11), глибина якої частоті 20 кГц становить 40 дБ, але в нижчих частотах перевищує 73 дБ. Частотна корекція ланцюга загальної ООС забезпечується ОУ при замкнутих висновках 1 і 8. Пристрій захисту підсилювача від коротких замикань в навантаженні виконано на транзисторах VT4, VT5 і резисторах R19, R22 - R24, R29, R30. Термостабілізація струму спокою вихідних транзисторів забезпечується розміщенням на тепловідведеннях їх транзисторів VT7, VT9 і VT10. У підсилювачі допускається використовувати такі транзистори: VT1 - КТ315 з індексами В, Г, Д і Е, VT2 - КТ361 з індексами Г і Е, VT3, VT5 - КТ315 з індексами Б, Г, Е, VT4 -КТ361 з такими ж індексами, VT6 - КТ914 з індексами А та Б і КТ932А; VT7 - будь-який pn-р або npn структури (у відповідному включенні) - транзистор, конструкція корпусу якого забезпечує хороший тепловий контакт кристала з тепловідведенням; VT8, VT9 - КТ904 з індексами А та Б. VT10-КТ914 з такими ж індексами, VT11 - КТ908А; VT12 - VT15 - КТ932 з індексами А і Б. Як ОУ DA1 можна застосовувати тільки мікросхеми К544УД2А та КР544УД2А. Якщо підсилювач застосовується або випробовується на ультразвукових частотах, резистор R26 необхідно замінити потужнішим, наприклад МОН-2. На жаль, автор неспроможна навести креслення друкованої плати, оскільки спеціально цього підсилювача плата не розроблялася. В авторському варіанті значна частина підсилювача зібрана на тепловідведення вихідних транзисторів. На одному тепловідводі змонтовані транзистори VT3, VT6, VT7, VT9 та VT11. На іншому транзистори VT10, VT12-VT15. Безпосередньо до висновків цих транзисторів припаяно резистори R7, R8, R13 - R18, R21, R25, R27, R28. Інші деталі розташовані на друкованій платі. Площа охолоджуючої поверхні кожного тепловідведення – 250 кв.см. На окремому тепловідводі з площею охолодної поверхні 50 кв.см, закріпленому безпосередньо на друкованій платі, розміщені транзистори VT8 двох каналів стереофонічного підсилювача. Монтаж підсилювача слід виконати таким чином, щоб проводи живлення якнайдалі були від вхідних ланцюгів, інакше збільшуються спотворення вихідного сигналу. Налагодження підсилювача полягає в установці струму спокою транзисторів вихідного каскаду в межах 50...100 мА підбором резисторів R13 та R14 та перевірки відсутності високочастотного самозбудження. Опір резисторів R16 і R17, що запобігають самозбудженню, залежать від коефіцієнтів передачі струму відповідних транзисторів передвихідного каскаду (VT9, VT10). При коефіцієнті передачі цих транзисторів 30...40 вони повинні дорівнювати зазначеним на схемі, а наприклад, при коефіцієнті передачі 120 повинні бути збільшені до 430 Ом. Два канали стереофонічного підсилювача потужності живляться від одного звичайного нестабілізованого джерела живлення, що складається з трансформатора, діодного моста та двох електролітичних конденсаторів ємністю 8000 мкФ. Трансформатор живлення намотаний на тороїдальному магнітопроводі з перетином 55x21,5 мм та діаметром вікна 56 мм. Мережева обмотка містить 646 витків дроту ПЕЛ 0,92, вторинна - 104 витка дроту ПЕЛ 1,7. Вторинна обмотка має відведення від середини, підключений до загального дроту підсилювача. За бажання можна спробувати збільшити вихідну потужність підсилювача, але не більше ніж в 1,5 рази шляхом збільшення напруги живлення до +32 В. Автор: А. Іванов; Публікація: cxem.net Дивіться інші статті розділу Підсилювачі потужності транзисторні. Читайте та пишіть корисні коментарі до цієї статті. Останні новини науки та техніки, новинки електроніки: Штучна шкіра для емуляції дотиків
15.04.2024 Котячий унітаз Petgugu Global
15.04.2024 Привабливість дбайливих чоловіків
14.04.2024
Інші цікаві новини: ▪ Перший настінний проектор LG ▪ Модеми LTE Qualcomm MDM9207-1 та MDM9206 для інтернету речей ▪ Відкрито ще одну форму льоду Стрічка новин науки та техніки, новинок електроніки
Цікаві матеріали Безкоштовної технічної бібліотеки: ▪ розділ сайту Студенту на замітку. Добірка статей ▪ стаття По кому дзвонить дзвін. Крилатий вислів ▪ стаття Чим відрізнявся партер у театрах пушкінської епохи від звичного нам? Детальна відповідь ▪ стаття Оператор термокамер та термоагрегатів. Типова інструкція з охорони праці ▪ стаття Новий спосіб формування SSB сигналу Енциклопедія радіоелектроніки та електротехніки ▪ стаття Французьке скидання. Секрет фокусу
Залишіть свій коментар до цієї статті: All languages of this page Головна сторінка | Бібліотека | Статті | Карта сайту | Відгуки про сайт www.diagram.com.ua |