Спосіб вимірювання струму насичення осердя котушки індуктивності, трансформатора або дроселя. Схема, опис

Безкоштовна технічна бібліотека

ЕНЦИКЛОПЕДІЯ РАДІОЕЛЕКТРОНІКИ ТА ЕЛЕКТРОТЕХНІКИ
Безкоштовна бібліотека / Схеми радіоелектронних та електротехнічних пристроїв

Спосіб вимірювання струму насичення осердя котушки індуктивності, трансформатора або дроселя. Енциклопедія радіоелектроніки та електротехніки

Безкоштовна технічна бібліотека

Енциклопедія радіоелектроніки та електротехніки / Початківцю радіоаматору

Коментарі до статті

Спосіб тестування дроселя надзвичайно простий.

На осердя намотується дві обмотки, що містять довільну кількість тонкого дроту діаметром 0,2-0,3 мм (що під руку підвернеться), співвідношення витків має бути близько 10 – власне теж не важливо.

Спосіб вимірювання струму насичення сердечника котушки індуктивності, трансформатора або дроселя

Приклад. Намотана вторинна обмотка. Витки рахувати не потрібно – довільно. А ось первинна обмотка - кількість витків дуже важлива. Вхідна напруга регулюється від 0 до 20-25 вольт. Баластний резистор - потужний і розрахований за потужністю на повний струм та напругу джерела живлення. Комутаційний транзистор - потужний польовий чи IGBT транзистор без зворотного діода. За напругою - щонайменше 10 крат має перевищувати джерело живлення.

випробування. Включаємо генератор прямокутних імпульсів 2-3 Гц. При роботі з такою низькою частотою витки первинної обмотки створять індукцію, що встановилася на одному рівні в сердечнику. Надлишок струму – розсіюється на резисторі. Коли транзистор закривається, то у вторинній обмотці наводиться імпульсна напруга, амплітуда якої виділяється на конденсаторі до певного значення. Чим вище індукція в сердечнику - тим вища вихідна напруга. Включення вторинної обмотки має бути зворотноходовим, тобто. сплеск напруги на виході має бути тоді, коли транзистор закривається. навантажувальний резистор конденсатора – розрядний, не повинен споживати значний струм, скажімо 10-15 мА, вибирається довільно.

Поступово підвищуючи вхідну напругу від джерела живлення (тобто збільшуючи струм через первинну обмотку) - досягаємо моменту припинення зростання вихідної напруги. Всі. настало насичення сердечника. Подальше зростання струму не дає результату. Транзистор перекладається короткочасно у відкрите положення на 3-5 секунд і записуємо показання амперметра.

Приклад. Первинна обмотка намотана з 20 витків товстого дроту. Струм у ланцюзі був 22 А.

Вважаємо 20 витків* 22 А = 440 Ампер/виток.

Отже цей магнітопровід можна наситити до краю або одним витком зі струмом 440А, або 40 витків 11 А, або 440 витків зі струмом 1А. Незважаючи на граничну простоту методу, він дає гранично точні результати.

Таким методом розраховуються магнітні підсилювачі зі зворотним зв'язком – амплітати. Для феритових дроселів частоту можна збільшити.

Дивіться інші статті розділу Початківцю радіоаматору.

Читайте та пишіть корисні коментарі до цієї статті.

<< Назад

Останні новини науки та техніки, новинки електроніки:

Шум транспорту затримує зростання пташенят 06.05.2024

Звуки, що оточують нас у сучасних містах, стають дедалі пронизливішими. Однак мало хто замислюється про те, як цей шум впливає на тваринний світ, особливо на таких ніжних створінь, як пташенята, які ще не вилупилися з яєць. Недавні дослідження проливають світло на цю проблему, вказуючи на серйозні наслідки для їхнього розвитку та виживання. Вчені виявили, що вплив транспортного шуму на пташенят зебрового діамантника може призвести до серйозних порушень у розвитку. Експерименти показали, що шумова забрудненість може суттєво затримувати їх вилуплення, а ті пташенята, які все ж таки з'являються на світ, стикаються з низкою здоровотворних проблем. Дослідники також виявили, що негативні наслідки шумового забруднення сягають і дорослого віку птахів. Зменшення шансів на розмноження та зниження плодючості говорять про довгострокові наслідки, які транспортний шум чинить на тваринний світ. Результати дослідження наголошують на необхідності ...>>

Бездротова колонка Samsung Music Frame HW-LS60D 06.05.2024

У світі сучасної технології звуку виробники прагнуть не тільки бездоганної якості звучання, але й поєднання функціональності з естетикою. Одним із останніх інноваційних кроків у цьому напрямку є нова бездротова акустична система Samsung Music Frame HW-LS60D, представлена на заході 2024 World of Samsung. Samsung HW-LS60D – це не просто акустична система, це мистецтво звуку у стилі рамки. Поєднання 6-динамічної системи з підтримкою Dolby Atmos та стильного дизайну у формі фоторамки робить цей продукт ідеальним доповненням до будь-якого інтер'єру. Нова колонка Samsung Music Frame оснащена сучасними технологіями, включаючи функцію адаптивного звуку, яка забезпечує чіткий діалог на будь-якому рівні гучності, а також автоматичну оптимізацію приміщення для насиченого звукового відтворення. За допомогою з'єднань Spotify, Tidal Hi-Fi і Bluetooth 5.2, а також інтеграцією з розумними помічниками, ця колонка готова задовольнити ...>>

Новий спосіб управління та маніпулювання оптичними сигналами 05.05.2024

Сучасний світ науки та технологій стрімко розвивається, і з кожним днем з'являються нові методи та технології, які відкривають перед нами нові перспективи у різних галузях. Однією з таких інновацій є розробка німецькими вченими нового способу керування оптичними сигналами, що може призвести до значного прогресу фотоніки. Нещодавні дослідження дозволили німецьким ученим створити регульовану хвильову пластину всередині хвилеводу із плавленого кремнезему. Цей метод, заснований на використанні рідкокристалічного шару, дозволяє ефективно змінювати поляризацію світла через хвилевід. Цей технологічний прорив відкриває нові перспективи розробки компактних і ефективних фотонних пристроїв, здатних обробляти великі обсяги даних. Електрооптичний контроль поляризації, що надається новим методом, може стати основою створення нового класу інтегрованих фотонних пристроїв. Це відкриває широкі можливості для застосування. ...>>

Випадкова новина з Архіву

Карбід-кремнієві MOSFET-транзистори CoolSiC 1200 В у корпусі TO247-3/-4 16.01.2020

Нові MOSFET-транзистори від компанії Infineon лінійки CoolSiC 1200 В у корпусі TO247-3/-4 засновані на сучасних технологіях побудови напівпровідників та оптимізовані для забезпечення високих показників продуктивності та надійності.

Перевага використання SiC-транзисторів у порівнянні з Si-рішеннями - це вищий ККД, що особливо важливо для систем перетворення енергії. У порівнянні з IGBT і MOSFET на основі Si, SiC MOSFET мають ряд переваг: найнижчі рівні заряду затвора та ємності серед 1200 В перемикачів, відсутність втрат на відновлення внутрішнього діода, низькі втрати при перемиканні, що не залежать від температури, та безпорогова характеристика.

MOSFET лінійки CoolSiC чудово підходять для топологій з жорсткою та резонансною комутацією, таких як схеми корекції коефіцієнта потужності (ККМ), двонаправлені топології, DC/DC-перетворювачі або DC/AC-інвертори.

Особливості:

Низькі втрати при перемиканні;
Безпорогова характеристика;
Широкий діапазон напруг "затвор-витік";
Порогова напруга затвора VGS(th) = 4,5;
Контрольована швидкість наростання напруги (dV/dT);
Надійний струмопровідний діод для жорсткої комутації;
Втрати при перемиканні залежить від температури;
Збереження працездатності у разі виникнення КЗ протягом 3 мкс при напрузі на затворі 15 У.
Доступні для замовлення у корпусах TO247-4. Цей корпус має додатковий сигнальний висновок початку оптимізації процесу перемикання.

Застосування:

Системи перетворення сонячної енергії;
Системи заряджання електромобілів;
Джерела безперебійного живлення (ДБЖ);
Блоки живлення;
Управління двигуном.