Безкоштовна технічна бібліотека ЕНЦИКЛОПЕДІЯ РАДІОЕЛЕКТРОНІКИ ТА ЕЛЕКТРОТЕХНІКИ Мікросхеми FLASH-пам'яті фірми SAMSUNG. Довідкові дані Енциклопедія радіоелектроніки та електротехніки / застосування мікросхем У статті описані мікросхеми флеш-пам'яті об'ємом 4 Гбіта K9K4G08Q0M-YCB0/YIB0, K9K4G16Q0M-YCBO/YIBO, K9K4G08U0M-YCBO/YIBO, K9K4G16U0M-YCB0/YIB0. Ці мікросхеми використовуються як енергонезалежна пам'ять у побутових, промислових та комп'ютерних пристроях. У цифрових відео- та фотокамерах, диктофонах та автовідповідачах ці мікросхеми використовуються як пам'ять для зображення та звуку у складі твердотільних флеш-дисків. Мікросхеми флеш-пам'яті поділяються на групи з напруги живлення та архітектури (табл. 1). У табл. 2 представлено призначення висновків мікросхем флеш-пам'яті. Таблиця 1
Таблиця 2
Мікросхеми K9K4GXXX0M мають ємність 4 Гбіта з резервом 128 Мбіт (фактична ємність становить 4 біта) і архітектуру 429 Мбіт х 185 або 024 Мбіт х 512 з надійністю до 8 млн. циклів запису/стирання. 256-розрядні мікросхеми організовані у 16 х 1 сторінок, а 8-розрядні – у 2112 х 8 стовпців. У всіх мікросхемах є резервні біти, що розташовуються в 16 рядках з адресами 1056-16 у 128-розрядних мікросхем, або в 2048 стовпцях з адресами 2111-8 - у 64-розрядних. Для організації передачі даних протягом операції читання/запису сторінки між осередками пам'яті та портами введення-виведення у цих мікросхем є послідовно пов'язані один з одним регістри даних розміром 1024 байт для 1055-розрядної, або 16-словний для - 2112-розрядної мікросхеми та регістри кешу відповідного обсягу. Масив пам'яті будується з 8 пов'язаних осередків, що знаходяться на різних сторінках та об'єднаних структурою І-НЕ. 1056 осередки, що об'єднують 16 структур 32І-НЕ і розташовані на 32 сторінках, становлять блок. Сукупність 135168 або 2-розрядних блоків становить масив пам'яті. Операція читання виконується посторінково, у той час як операція стирання - тільки побічно: 2048 блоків пс, що окремо стираються, 128 Кбайт (для 8-розрядних мікросхем), або блоків по 64 Кслів (для 16-розрядних мікросхем). Стирання окремих бітів неможливе. Запис сторінки в мікросхеми виконується за 300 мкс, стирання – за 2 мс на блок (128 Кбайт – для 8-розрядних, або на 64 Кслов – для 16-розрядних мікросхем). Байт даних зчитується зі сторінки за 50 н. Для запису та контролю даних у мікросхемах є вбудований контролер, що забезпечує весь процес, включаючи, якщо потрібно, повторення операцій внутрішньої перевірки та розмітки даних. У мікросхем K9K4GXXX0M реалізована система забезпечення перевірки інформації з виправленням помилок і вибракуванням помилкових даних про реальний час. Мікросхеми мають 8 або 16 мультиплексних адрес вводу/виводу. Таке рішення різко зменшує кількість задіяних висновків і дозволяє проводити подальші модернізації пристроїв, не збільшуючи їх розмірів. Введення команд, адреси та даних проводиться при низькому рівні на виведенні РЄ зі спаду сигналу WE через одні й ті самі ніжки вводу/виводу. Інформація, що вводиться записується в буферні регістри по фронту сигналу WE. Сигнали роздільної здатності запису команди (CLE) та роздільної здатності запису адреси (ALE) використовуються, щоб мультиплексувати команду та адресу відповідно через одні й ті самі ніжки вводу/виводу. Таблиця 3
* Довільне введення/виведення даних можливе в межах однієї сторінки У табл. 3 показані команди керування мікросхем. Подання на входи інших, не перерахованих у таблиці, шістнадцяткових (HEX) кодів команд, веде до непередбачуваних наслідків, і тому заборонено. Щоб підвищити швидкість запису під час прийому великих обсягів даних, у вбудованого контролера передбачена можливість запису даних регістри кеш-пам'яті. При включенні живлення вбудований контролер автоматично забезпечує доступ до масиву пам'яті, починаючи з першої сторінки без введення команди та адреси. На додаток до вдосконаленої архітектури та інтерфейсу, контролер має можливість копіювання (перезапису) вмісту однієї сторінки пам'яті на іншу без звернення до зовнішньої буферної пам'яті. У цьому випадку забезпечується більш висока швидкість перенесення даних, ніж при звичайній роботі, оскільки послідовний доступ, що забирає багато часу, і цикли введення даних відсутні. Вибраковування блоків Блоки пам'яті в мікросхемах K9K4GXXX0M визначаються як неприпустимі, якщо містять один чи більше неприпустимих бітів, однозначність читання яких гарантується. Інформація з неприпустимих блоків сприймається як "неприпустима інформація блоку". Мікросхеми з неприпустимими блоками не відрізняються за статичними та динамічними характеристиками і мають той самий якісний рівень, як і мікросхеми з усіма правильними блоками. Неприпустимі блоки не впливають на роботу нормальних блоків, тому що вони ізольовані від розрядної та загальної шини живлення транзистором вибору. Система спроектована в такий спосіб, що з неприпустимих блоків блокуються адреси. Відповідно, до некоректних біт просто немає доступу. Ідентифікація неприпустимого блоку Вміст усіх осередків мікросхеми (крім тих, де зберігається інформація про неприпустимі блоки) з адресами FFh для 8-розрядних і FFFFh для 16-розрядних, може бути стерта. Адреси неприпустимих блоків, що у резервної області масиву пам'яті, визначає перший байт для 8-разрядных мікросхем чи перше слово - для 16-разрядных. Виробник гарантує, що або 1-а або 2-а сторінка кожного блоку з адресами неприпустимих осередків мають у стовпцях з адресами 2048 (для 8-розрядних) або 1024 (для 16-розрядних) дані, відмінні відповідно від FFh або FFFFh. Оскільки інформація про неприпустимі блоки також стирається, то в більшості випадків стирання адрес бракованих блоків їх відновити неможливо. Тому в системі має бути закладений алгоритм, здатний створити таблицю неприпустимих блоків, захищену від стирання та засновану на початковій інформації про браковані блоки. Після очищення масиву-пам'яті, адреси цих блоків знову завантажуються з цієї таблиці. Будь-яке навмисне стирання первинної інформації про неприпустимі блоки заборонено, оскільки веде до некоректної роботи системи загалом. Згодом кількість неприпустимих блоків може зрости, тому необхідно періодично перевіряти фактичну ємність пам'яті, звіряючи адреси забракованих блоків даних із резервної таблиці недопустимих блоків. Для систем, де необхідна висока стійкість до відмов, найкраще передбачити можливість побічного переписування масиву пам'яті з порівнянням результатів з фактичними даними, оперативно виявляючи і замінюючи блоки некоректної інформації. Дані з виявленого неприпустимого блоку переносяться в інший, нормальний порожній блок, не торкаючись сусідніх блоків масиву і використовуючи вбудований буфер, розмір якого відповідає розміру блоку. Для цього передбачені команди для побічного перезапису. Публікація: cxem.net Дивіться інші статті розділу застосування мікросхем. Читайте та пишіть корисні коментарі до цієї статті. Останні новини науки та техніки, новинки електроніки: Машина для проріджування квітів у садах
02.05.2024 Удосконалений мікроскоп інфрачервоного діапазону
02.05.2024 Пастка для комах
01.05.2024
Інші цікаві новини: ▪ Оптимізм не закладено від народження ▪ Не варто заряджати смартфон вночі ▪ Нелінійна терагерцова камера ▪ Музичний та математичний дар взаємопов'язані Стрічка новин науки та техніки, новинок електроніки
Цікаві матеріали Безкоштовної технічної бібліотеки: ▪ розділ сайту Шпигунські штучки. Добірка статей ▪ стаття У мої літа не повинно бути... Крилатий вираз ▪ стаття Секрети ремонту. Довідник ▪ стаття Портативний зварювальний апарат. Енциклопедія радіоелектроніки та електротехніки ▪ стаття Балансуюча хустка. Секрет фокусу
Залишіть свій коментар до цієї статті: All languages of this page Головна сторінка | Бібліотека | Статті | Карта сайту | Відгуки про сайт www.diagram.com.ua |