Меню English Ukrainian російська Головна

Безкоштовна технічна бібліотека для любителів та професіоналів Безкоштовна технічна бібліотека


Інтегральна мікросхема INF8577CN. Довідкові дані

Безкоштовна технічна бібліотека

Енциклопедія радіоелектроніки та електротехніки / застосування мікросхем

 Коментарі до статті

Мікросхема INF8577CN є пристроєм керування рідкокристалічним індикатором (РКІ) з I2З інтерфейсом прийому відображуваної інформації. Інтегральна мікросхема INF8577CN. Довідкові дані Зовнішній вигляд мікросхеми
Мікросхема розміщена у 40-вивідному DIP-корпусі (рис. 1). Функції, що виконуються схемою: Рис. 1 Зовнішній вигляд мікросхеми
  • управління РКІ у прямому або дуплексному режимі, мікросхема управляє 32 сегментами РКІ у прямому режимі та 64 сегментами в дуплексному режимі;
  • забезпечення інтерфейсу шини I2С;
  • можливість використання як розширювача виходу шини I2С.

Її особливості:

  • напруга живлення – від 2,5 до 6 В;
  • низька потужність споживання;
  • вбудований генератор для формування сигналів управління РКІ;
  • автоінкрементоване введення даних;
  • можливість перемикання банків пам'яті дисплея у прямому режимі управління;
  • можливість каскадування мікросхем збільшення кількості керованих сегментів до 256;
  • гасіння дисплея зі скидання живлення.

Її цоколівка наведена на рис. 2, а структурна схема – на рис. 3. На рис. 4 показана організація внутрішньої пам'яті іс. Інформація, що відображається, зберігається у восьми однобайтових регістрах (їх номери - 0...7). Ще один такий же регістр (контрольний) зберігає настроювальну інформацію, що керує роботою мікросхеми. Регістри О,2,4,6 об'єднані до банку "А", регістри 1, 3, 5, 7 - до банку "В".

Інтегральна мікросхема INF8577CN. Довідкові дані Цоколівка мікросхеми
Рис. 2. Цоколівка мікросхеми

Інтегральна мікросхема INF8577CN. Довідкові дані Структурна схема мікросхеми
Рис. 3. Структурна схема мікросхеми

Інтегральна мікросхема INF8577CN. Довідкові дані Організація внутрішньої пам'яті мікросхеми
Рис. 4. Організація внутрішньої пам'яті мікросхеми

Інтегральна мікросхема INF8577CN. Довідкові дані Передача першого байта інформації
Рис. 5. Передача першого байта інформації

Функціонування шини I2C досить докладно описано [1]. Розглянемо особливості завантаження інформації у мікросхему INF8577CN. Першим байтом (рис. 5) передається адреса веденого ("Slave") пристрою. Старші 7 біт цього байта визначають адресу пристрою ("Slave"-адресу), а восьмий біт визначає напрямок передачі даних. Якщо восьмий біт дорівнює нулю, то виконується передача даних до веденого пристрою, якщо дорівнює одиниці, то цей пристрій буде передавачем. До I2С-шині можуть бути підключені кілька пристроїв з однаковою "Slave"-адресою. INF8577CN може виконувати лише функцію приймача, тому восьмий біт завжди дорівнює "0". Її двійковий "Slave''-адреса - 0111010. Таким чином, перший байт завжди містить код 01110100.

Таблиця 1

Позначення висновків Призначення висновків Опис
S1...S32 виходи Виходи управління сегментами РКІ
ВР1 Вхід вихід При каскадуванні першої мікросхеми - вихід управління рядком, інших мікросхем - вхід
А2/ВР2 Вхід вихід Призначення виводу програмується. Або це вхід А1. або висновок, аналогічний ВР1
VDD Живлення Позитивне виведення харчування
А1 Вхід Вхід до адреси. На висновки АТ, А1, А2 подається адреса мікросхеми за їх каскадуванні. Мікросхема сприйме дані, якщо субадреса в посилці даних збігається з цією адресою
A0/OSC Вхід Призначення висновку визначається його підключенням. При підключенні до RC ланцюжка – це вхід генератора, інакше – вхід адреси
VSS Живлення Негативний виведення харчування
SCL Вхід Тактовий вхід для I2С-шини
ПДР Вхід вихід Вхід/Вихід даних для I2С-шини

Таблиця 2

Найменування параметра, одиниця виміру Позначення Гранично допустимий режим Граничний режим
не менше не більше не менше не більше
Напруга живлення, В VDD 2,5 6,0 -0,5 8,0
Вхідна напруга, V1 0 VDD -0,5 VDD + 0,5
Постійна складова РКІ драйвера, мВ VBP -20 20 - -
Струм споживання, ма IDDISS - 0,125 -50 +50
Вхідний струм, ма I1 - - -20 +20
Вихідний струм, ма Io - - -25 +25
Напруга формування скидання при включенні живлення, VBY - 2 - -
Вхідна напруга низького рівня на виведенні АТ, VIL1 0 0,05 - -
Вхідна напруга високого рівня на виведенні АТ, VIH1 VDD-0,05 VDD - -
Вхідна напруга низького рівня на виводі А1, В VIL2 0 0,3-VDD - -
Вхідна напруга високого рівня на виводі А1, В VIH2 0,7-VDD VDD - -
Вхідна напруга низького рівня на виводі А2, В VIL3 0 0,1 - -
Вхідна напруга високого рівня на виводі A2, B VIH3 VDD-0,10 VDD - -
Вхідна напруга низького рівня на висновках SCL, SDA, VIL4 0 0,3-VDD - -
Вхідна напруга високого рівня на висновках SCL, SDA, VIH4 0,7-VDD 6 - -
Частота тактового сигналу, кГц fSCL - 100 - -
Ширина імпульсу перешкоди на I2С-шині при Токр.середовища = 25 ° С, нс tSW - 100 - -

Таблиця 3

Найменування параметра, одиниця виміру Позначення норма режим вимірювання
не менше не більше
Струм споживання, мкА(V1=VDD або V1=VSS) IDD - 125 fSCL=100кГц, ROSC=1MOм, СOSC= 680 пФ
75 fSCL=0кГц, ROSC=1MOм, СOSC= 680 пФ
20 fSCL= 0кГц, режим прямого керування. AO/OSC=VDD, VDD=5 B, Tокр.середовища= 25 °С
40 fSCL=0кГц, ROSC=1MOм, СOSC=680 пФ, VDD=5 B, Tокр.середовища= 25 °С
Вихідна напруга низького рівня на виводі SDA, VOL - 0,4 VDD=5 B, IOL=3,0 мА
Вхідний струм витоку за висновками А1, SCL, SDA, мкА IL1 -1 +1 V1=VDD або VSS
Вхідний струм витоку за висновками А2/ВР2, ВР1, мкА IL2 -5 +5 V1=VDD або VSS
Втеча струму з висновку А2/ВР2, мкА IPD -5 - V1=VDD
Вхідний струм витоку з виводу A0/OSC, мкА IL3 -1 +1 V1=VDD
Початковий струм генератора, мкА IOSC - 5 V1=VSS
Вихідна напруга низького рівня на виходах управління сегментами, VOL1 - 0,8 VDD=5 B, IOL1=0,3 мА
Вихідна напруга високого рівня на виходах управління сегментами, VOH1 VDD-0,8 - VDD=5 B, IOH1=0,3 мА
Вихідний струм на висновках управління рядками РКІ (ВР1, ВР2), мкА Iзагрузка 100 - VDD =5 BV0=Vss, VDD або (VSS + VDD) / 2
Вихідна напруга високого рівня на висновках управління сегментами, V0H2 4,5 - VDD=5 B, IOH2= 100 мкА
Вихідна напруга низького рівня на висновках управління сегментами, V0L2 - 0,5 VDD=5 B, IOL2= 100 мкА
Вихідна напруга низького рівня на висновках управління сегментами в стані "вимкнено", V0L3 - 0,5 VDD=2,5 B, IOL3= 100 мкА
Частота сигналів на висновках управління РКІ, Гц fЖК-дисплей 65 120 COSC=680 пФ, ROSC=1 МОм

Другим байтом протоколу I2С-шини для мікросхеми INF8577CN завжди є контрольний байт, що завантажується у відповідний регістр (рис. 4). Старший біт цього байта визначає режим роботи:

0 - режим прямого управління РКІ (однорядковий режим);
1 - режим мультиплексного керування РКІ (дворядковий режим).

Наступний біт цього байта визначає банк РКІ, вміст якого виводитиметься на сегменти в режимі прямого управління: "0" - банк А, "1" - банк В. Для режиму мультиплексного управління цей біт не має значення. Інші шість біт цього байта становлять вектор сегментів. Фактично цей вектор є адресою ОЗП (номер схеми + номер регістра), починаючи з якого починається завантаження інформації, що відображається. Вектор сегментів об'єднує в єдиний адресний простір ОЗП із кількох мікросхем INF8577CN. До I2С-шині можна підключити до восьми мікросхем INF8577CN. Три молодших біти вектора сегментів адресують один із восьми регістрів схеми, а три старших біти вектора сегментів визначають, яка з мікросхем INF8577CN буде обрана. Дані будуть записані в ту мікросхему, для якої ці три біти збігатимуться з субадресою, встановленою на висновках мікросхеми АТ, А1, А2. Ця субадреса формується за таким правилом:

- Висновок А1 є входом, і на нього обов'язково потрібно подати вхідний рівень нуля чи одиниці;
- висновки АТ та А2 є входами-виходами, і на них можна (але не обов'язково) подати вхідний рівень нуля чи одиниці, або взагалі не подавати вхідну напругу. І тут мікросхема сприймає стан висновків АТ і А2 як логічний нуль.

Після другого байти починається передача даних. Перший байт даних записується в ОЗУ однієї з мікросхем INF8577CN - саме ту мікросхему і в те місце ОЗУ, на яке вказує вектор сегментів. Мікросхема, яка прийняла інформацію, формує А-умову, що підтверджує прийом. Після цього вектор сегментів автоматично збільшується і мікросхеми готові приймати наступний байт даних. Довжина ланцюжка даних не обмежена. Усі мікросхеми відслідковують зміну вектора сегментів, і дані автоматично записуються у ОЗУ потрібної мікросхеми. Якщо вектор сегментів досягнув максимального значення 111111, то наступне значення буде 000000.

Розмір інкременту дорівнює 1 або 2 і визначається тим, в якому режимі функціонують мікросхеми. Інкремент дорівнює 1 в режимі мультиплексного управління, тобто регістри мікросхем завантажуються підряд, один за одним, без урахування того, якого банку вони належать. У режимі прямого управління величина інкременту дорівнює 2, що забезпечує завантаження або банку "A" або банку "B" незалежно від того, який з них відображається.

Інтегральна мікросхема INF8577CN. Довідкові дані Схема драйвера РКІ з прямим управлінням
Рис. 6. Схема драйвера РКІ з прямим керуванням

Інтегральна мікросхема INF8577CN. Довідкові дані Схема драйвера з дуплексним керуванням
Рис. 7. Схема драйвера з дуплексним керуванням

У табл. 1 наведено призначення висновків ІВ, у табл. 2 дано граничні та гранично допустимі значення параметрів, в табл. 3 – основні електричні параметри. На рис. 6 наведена схема драйвера РКІ з прямим керуванням, на рис. 7 - схема драйвера з дуплексним керуванням, на рис. 8 - схема 32-розрядного розширювача I2C-шини. Слід зазначити, що в режимі дуплексного управління необхідно використовувати РКІ з двома окремими загальними висновками або два окремих РКІ.

Інтегральна мікросхема INF8577CN. Довідкові дані Cхема 32-розрядного розширювача I 2 C-шини
Рис. 8. Cхема 32-розрядного розширювача I2C-шини

література

  1. К. Конов. Інтерфейс I2C у телевізорі. - Радіоаматор, 2000, N9, С.24 ... 26

Публікація: cxem.net

Дивіться інші статті розділу застосування мікросхем.

Читайте та пишіть корисні коментарі до цієї статті.

<< Назад

Останні новини науки та техніки, новинки електроніки:

Штучна шкіра для емуляції дотиків 15.04.2024

У світі сучасних технологій, де віддаленість стає дедалі більш повсякденною, збереження зв'язку й почуття близькості грають значної ролі. Нещодавні розробки німецьких учених із Саарського університету в галузі штучної шкіри становлять нову еру у віртуальних взаємодіях. Німецькі дослідники з університету Саарського розробили ультратонкі плівки, які можуть передавати відчуття дотику на відстані. Ця передова технологія надає нові можливості для віртуального спілкування, особливо для тих, хто виявився далеко від своїх близьких. Ультратонкі плівки, розроблені дослідниками, товщиною всього 50 мікрометрів, можуть бути інтегровані в текстильні вироби та носитися як друга шкіра. Ці плівки діють як датчики, що розпізнають тактильні сигнали від мами чи тата, і як виконавчі механізми, що передають ці рухи дитині. Дотики батьків до тканини активують датчики, які реагують на тиск та деформують ультратонку плівку. Ця ...>>

Котячий унітаз Petgugu Global 15.04.2024

Турбота про домашніх тварин часто може бути викликом, особливо коли йдеться про підтримку чистоти в будинку. Представлено нове цікаве рішення стартапу Petgugu Global, яке полегшить життя власникам кішок та допоможе їм тримати свій будинок в ідеальній чистоті та порядку. Стартап Petgugu Global представив унікальний котячий унітаз, здатний автоматично змивати фекалії, забезпечуючи чистоту та свіжість у вашому будинку. Цей інноваційний пристрій оснащений різними розумними датчиками, які стежать за активністю вашого вихованця в туалеті та активуються для автоматичного очищення після його використання. Пристрій підключається до каналізаційної системи та забезпечує ефективне видалення відходів без необхідності втручання з боку власника. Крім того, унітаз має великий обсяг сховища, що змивається, що робить його ідеальним для домашніх, де живуть кілька кішок. Котячий унітаз Petgugu розроблений для використання з водорозчинними наповнювачами та пропонує ряд додаткових матеріалів. ...>>

Привабливість дбайливих чоловіків 14.04.2024

Стереотип про те, що жінки віддають перевагу "поганим хлопцям", довгий час був широко поширений. Однак нещодавні дослідження, проведені британськими вченими з Університету Монаша, пропонують новий погляд на це питання. Вони розглянули, як жінки реагують на емоційну відповідальність та готовність допомагати іншим у чоловіків. Результати дослідження можуть змінити наше уявлення, що робить чоловіків привабливими в очах жінок. Дослідження, проведене вченими з Університету Монаша, призводить до нових висновків щодо привабливості чоловіків для жінок. В рамках експерименту жінкам показували фотографії чоловіків з короткими історіями про їхню поведінку в різних ситуаціях, включаючи їхню реакцію на зіткнення з бездомною людиною. Деякі з чоловіків ігнорували безпритульного, тоді як інші надавали йому допомогу, наприклад, купуючи їжу. Дослідження показало, що чоловіки, які виявляють співчуття і доброту, виявилися більш привабливими для жінок порівняно з т ...>>

Випадкова новина з Архіву

Електрика із солоної води за допомогою двошарової мембрани 30.10.2018

Пристрій здатний перетворити 35,7% хімічної енергії, що зберігається в солоній воді, на придатну для використання електрику. Це таке ж ефективне джерело електроенергії, як вітрові турбіни, та ефективніше, ніж більшість сонячних батарей.

Природа любить баланс і прагне врівноважити непропорційні частини системи. Прикладом цього може бути такий процес, як осмос. Якщо в одній частині системи розчин містить більше елементів і речовин, ніж в іншій, то в першу надходить розчинник (як правило, вода), щоб зрівняти концентрацію речовин з обох сторін. Тут є дві особливості: процес проходить в односторонньому порядку та сприяє цьому природна мембрана, яка пропускає розчинник. Осмос допомагає, наприклад, рослинам вбирати вологу: коріння "збирає" її, а клітини рослини не випускають назад.

Цей процес використовують вчені для створення швидкісної лінії електромережі, яка отримує струм із солоної води. Коли іонні грати солей, що складаються з пучків позитивно і негативно заряджених частинок, розчиняється у воді, пучки розриваються, залишаючи частинки вільними для участі в осмосі. Якщо між солоною та прісною водою розташувати заряджені тонкі мембрани, то частинки перетікатимуть з одного боку на іншу, врівноважуючи кількість позитивних і негативних зарядів. Завдяки цьому виникає електричний струм. Мембрани для такого процесу вже використовуються, але вони дорогі та з часом мають тенденцію до протікання. Це дозволяє частинкам пройти назад у неправильному напрямку, зменшуючи кількість електрики, яку вони можуть зробити.

Дослідники з Китаю створили нову, двошарову мембрану, яка має різні властивості з обох сторін: починаючи від розміру пір до заряду самої мембрани. Кожен шар пропускає частинки із певним зарядом. Це стимулює постійний потік заряджених частинок з одного боку на іншу, не дозволяючи дрейфувати назад у неправильному напрямку. Нові мембрани були названі на честь дволикого Януса, давньоримського бога дверей, входів та виходів.

Інші цікаві новини:

▪ Світлодіод в маслі

▪ Новий LDO-регулятор BD3574HFP

▪ Термостійкий біопластик

▪ Алгоритм для прогнозування турбулентних потоків в атмосфері Сонця

▪ Відеомагнітофон фільтрує рекламу

Стрічка новин науки та техніки, новинок електроніки

 

Цікаві матеріали Безкоштовної технічної бібліотеки:

▪ розділ сайту Параметри радіодеталей. Добірка статей

▪ стаття Труни повалені. Крилатий вислів

▪ стаття Хто такі стронгмени? Детальна відповідь

▪ стаття М'ята довголиста. Легенди, вирощування, способи застосування

▪ стаття Таймер для апарату точкового зварювання. Енциклопедія радіоелектроніки та електротехніки

▪ стаття Зарядний пристрій Турист. Енциклопедія радіоелектроніки та електротехніки

Залишіть свій коментар до цієї статті:

ім'я:


E-mail (не обов'язково):


коментар:





All languages ​​of this page

Головна сторінка | Бібліотека | Статті | Карта сайту | Відгуки про сайт

www.diagram.com.ua

www.diagram.com.ua
2000-2024